[發(fā)明專利]一種三維姿態(tài)測量方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011248011.3 | 申請日： | 2020-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN112697073B | 公開（公告）日： | 2022-07-15 |
| 發(fā)明（設計）人： | 王春;張士濤;楊宗元;王亞波;羅橋波;石佳 | 申請（專利權）人： | 武漢第二船舶設計研究所（中國船舶重工集團公司第七一九研究所） |
| 主分類號： | G01B11/26 | 分類號： | G01B11/26;G01B11/00 |
| 代理公司： | 北京理工大學專利中心 11120 | 代理人： | 代麗 |
| 地址： | 430064 湖北省武漢*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 三維 姿態(tài) 測量方法 | ||
1.一種三維姿態(tài)測量方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟1、將待測量目標與反射面組合體固定；
步驟2、將光電自準直儀中測量滾轉角的光電傳感器替換為虛擬單維高分辨成像元件；所述虛擬單維高分辨成像元件包括基底和兩個CMOS成像元件，所述兩個CMOS成像元件分別固定于所述基底的同側兩端，所述基底的長度大于10倍的所述CMOS成像元件的尺寸；
步驟3、采用公式(1)統(tǒng)一所述兩個CMOS成像元件的坐標系：
其中，(x,y)、(x′,y′)分別為兩個CMOS成像元件的坐標系中的坐標，θ、x0、y0均為坐標系變換參數(shù)；
θ的計算過程為：將待測量目標任意旋轉一個滾轉角度θ1，在兩個CMOS成像元件的坐標系中分別采用公式(2)和公式(3)擬合求得滾轉角，計算兩個坐標系下滾轉角的差值θ1-θ′1；再次任意旋轉一個滾轉角度θ2，采用同樣的方式計算兩個坐標系下滾轉角的差值θ2-θ′2，則θ＝θ1-θ′1＝θ2-θ′2，其中，b1及b′1、b2及b′2均為擬合參數(shù)；
y＝tanθ1*x+b1 (2)
y′＝tanθ′1*x′+b′1 (3)
采用公式(4)計算x0、y0的取值：
步驟4、采用步驟3得到的統(tǒng)一坐標系，分別計算兩個CMOS成像元件上的光強質心，由質心連線即可計算得到光斑斜率。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述基底的材料為熔融石英。
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