[發明專利]液晶顯示裝置和制造液晶顯示裝置的方法

在審

• 申請號: 202011247762.3
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112782883A
• 公開（公告）日: 2021-05-11
• 發明（設計）人: 金昌垠;金圣姬;李受政
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: G02F1/1333
• 分類號: G02F1/1333;G06F3/041;G06F3/044
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 康建峰;陳煒

1.一種液晶顯示裝置，包括：

陣列基板，所述陣列基板包括與背光源相鄰地設置的第一基板以及設置在所述第一基板上的薄膜晶體管和觸摸電極；以及

相對基板，所述相對基板包括面對所述第一基板的第二基板以及沉積在所述第二基板的外表面上的靜電防止層，其中在所述第一基板與所述第二基板之間插入有液晶層，

其中，所述靜電防止層由包含In₂O₃和SnO₂中的至少一種的主體材料以及包含SiO₂、ZrO₂、HfO₂、Nb₂O₅和Ta₂O₅中的至少一種的摻雜劑材料形成，并且所述靜電防止層具有10^6.5Ω/sq至10⁹Ω/sq的薄層電阻。

2.根據權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述摻雜劑材料的含量比率在9wt％至15wt％的范圍內，并且

所述主體材料的含量比率在85wt％至91wt％的范圍內。

3.根據權利要求2所述的液晶顯示裝置，其中，當所述主體材料是In₂O₃和SnO₂中的一種時，所述摻雜劑材料的含量比率在12wt％至15wt％的范圍內并且所述主體材料的含量比率在85wt％至88wt％的范圍內，并且

當所述主體材料是In₂O₃和SnO₂時，所述摻雜劑材料的含量比率在9wt％至11wt％的范圍內并且所述主體材料的含量比率在89wt％至91wt％的范圍內。

4.根據權利要求3所述的液晶顯示裝置，其中，當所述主體材料是In₂O₃和SnO₂時，SnO₂的含量比率在50wt％至70wt％的范圍內。

5.根據權利要求4所述的裝置，其中，所述摻雜劑材料是SiO₂。

6.根據權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述靜電防止層的厚度在至的范圍內。

7.根據權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述靜電防止層具有97％或更高的透射率。

8.根據權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述相對基板包括：

在所述第二基板的內表面上的柱狀間隔件；以及

在所述柱狀間隔件和所述第二基板的內表面上的取向層。

9.根據權利要求1所述的液晶顯示裝置，還包括：

偏振板，所述偏振板附接至所述靜電防止層的頂表面；以及

蓋窗，所述蓋窗附接至所述偏振板的頂表面。

10.根據權利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述陣列基板包括形成在像素區域中的像素電極和濾色器圖案，以及

其中，在圖像顯示時段期間，在所述像素電極與所述觸摸電極之間產生驅動所述液晶層的電場。