[發明專利]存儲級存儲裝置及其數據操作方法、電子設備

在審

• 申請號: 202011247219.3
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112416810A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發明（設計）人: 賴振楠
• 申請（專利權）人: 深圳宏芯宇電子股份有限公司
• 主分類號: G06F12/02
• 分類號: G06F12/02;G06F11/07
• 代理公司: 深圳市嘉勤知識產權代理有限公司 44651
• 代理人: 王敏生

1.一種存儲級存儲裝置，其特征在于，包括：

兩個以上的存儲單元，其中至少一個存儲單元具有壞塊；

地址映射器，所述地址映射器內存儲有邏輯存儲地址和物理存儲地址之間的映射關系，所述物理存儲地址包括存儲單元地址以及該存儲單元內的有效存儲位置的物理地址；

所述地址映射器用于根據所述映射關系，將待操作的目標邏輯存儲地址映射至對應的物理存儲地址。

2.根據權利要求1所述的存儲級存儲裝置，其特征在于，所述地址映射器為具有非易失性的可編程邏輯器件。

3.根據權利要求2所述的存儲級存儲裝置，其特征在于，所述地址映射器包括復雜可編程邏輯器件。

4.根據權利要求1所述的存儲級存儲裝置，其特征在于，各個存儲單元的有效存儲容量之和大于等于所述存儲裝置的標稱存儲容量。

5.根據權利要求4所述的存儲級存儲裝置，其特征在于，至少一個存儲單元內的部分有效存儲位置作為備用存儲位置，用于當所述存儲單元內出現新的壞塊時，使用所述備用存儲位置的物理存儲地址替代該新的壞塊的物理存儲地址。

6.根據權利要求1所述的存儲級存儲裝置，其特征在于，所述兩個以上的存儲單元中至少包括兩種不同存儲結構的存儲芯片，或者同時包括易失性存儲芯片或非易失性存儲芯片。

7.根據權利要求1所述的存儲級存儲裝置，其特征在于，所述存儲單元包括：FLAH存儲芯片、NAND存儲芯片、DRAM存儲芯片、MRAM存儲芯片、NRAM存儲芯片、PCM存儲芯片、RRAM存儲芯片、FeRAM存儲芯片、ReRAM存儲芯片中的至少一種。

8.一種電子設備，其特征在于，包括：如權利要求1至7中任一項所述的存儲級存儲裝置。

9.一種存儲級存儲裝置的數據操作方法，其特征在于，所述存儲級存儲裝置包括兩個以上的存儲單元，其中至少一個存儲單元具有壞塊，所述數據存儲方法包括：

根據邏輯存儲地址與物理存儲地址之間預設的映射關系，將待操作的目標邏輯存儲地址映射至對應的物理存儲地址，所述物理存儲地址包括存儲單元地址以及該存儲單元內的有效存儲位置的物理地址；

對映射至的物理存儲地址進行數據操作。

10.根據權利要求9所述的數據操作方法，其特征在于，通過非易失性的可編程邏輯器件配置所述映射關系。

11.根據權利要求10所述的數據操作方法，其特征在于，在進行數據操作過程中，檢測該物理地址是否有效，若該物理地址無效，則將物理地址對應的存儲區域標記為新的壞塊，并更新所述映射關系，將所述新的壞塊的物理地址用備用存儲位置的物理地址替代。