[發明專利]一種顯示基板及其制備方法、顯示裝置在審
| 申請號: | 202011247196.6 | 申請日: | 2020-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN112366220A | 公開(公告)日: | 2021-02-12 |
| 發明(設計)人: | 何林昌;劉長波;姜春桐 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;成都京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262 | 代理人: | 陶麗;曲鵬 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 顯示 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種顯示基板,其特征在于,包括基底、貫穿所述基底的過孔以及位于所述基底上方并覆蓋所述過孔的信號引線,所述過孔內填滿金屬,所述過孔遠離所述信號引線一側的表面露出的金屬形成綁定引腳,所述信號引線通過所述過孔內的金屬與所述綁定引腳電連接。
2.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板包括基底、設置在所述基底上的第一絕緣層、設置在所述第一絕緣層上的有源層、覆蓋所述有源層的第二絕緣層、設置在所述第二絕緣層上的第一柵金屬層、覆蓋所述第一柵金屬層的第三絕緣層、設置在所述第三絕緣層上的第二柵金屬層、覆蓋所述第二柵金屬層的第四絕緣層以及設置在所述第四絕緣層上的第一源漏金屬層;
所述信號引線位于以下任意一個或多個金屬層上:
所述第一柵金屬層、所述第二柵金屬層和所述第一源漏金屬層。
3.根據權利要求2所述的顯示基板,其特征在于,所述信號引線位于所述第一源漏金屬層,所述顯示基板還包括位于所述過孔和所述信號引線之間的信號連接線,所述信號引線通過所述信號連接線以及所述過孔內的金屬與所述綁定引腳電連接;
所述信號連接線位于以下任意一個或多個金屬層上:
所述第一柵金屬層和所述第二柵金屬層。
4.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述顯示基板包括基底、設置在所述基底上的第一絕緣層、設置在所述第一絕緣層上的有源層、覆蓋所述有源層的第二絕緣層、設置在所述第二絕緣層上的第一柵金屬層、覆蓋所述第一柵金屬層的第三絕緣層、設置在所述第三絕緣層上的第二柵金屬層、覆蓋所述第二柵金屬層的第四絕緣層、設置在所述第四絕緣層上的第一源漏金屬層、覆蓋所述第一源漏金屬層的第五絕緣層以及設置在所述第五絕緣層上的第二源漏金屬層;
所述信號引線位于以下任意一個或多個金屬層上:
所述第一柵金屬層、所述第二柵金屬層、所述第一源漏金屬層和所述第二源漏金屬層。
5.根據權利要求1所述的顯示基板,其特征在于,所述綁定引腳包括第一綁定引腳和第二綁定引腳,其中:
所述第一綁定引腳通過各項異性導電膠與驅動芯片綁定連接,所述第二綁定引腳通過焊接,與所述第二綁定引腳對應的元器件綁定連接。
6.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1至5任一所述的顯示基板。
7.一種顯示基板的制備方法,其特征在于,所述制備方法包括:
在基底上形成信號引線;
將所述基底翻轉,形成貫穿所述基底的過孔,所述過孔暴露出所述信號引線;
在所述過孔內填充金屬,所述過孔遠離所述信號引線一側的表面露出的金屬形成綁定引腳,所述信號引線通過所述過孔內的金屬與所述綁定引腳電連接。
8.根據權利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述貫穿所述基底的過孔通過激光或電子束打孔方式形成。
9.根據權利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述過孔內填充的金屬通過電解法和/或脈沖電鍍法沉積形成。
10.根據權利要求7所述的制備方法,其特征在于,所述綁定引腳包括第一綁定引腳和第二綁定引腳,所述制備方法還包括:
通過各項異性導電膠將所述第一綁定引腳與驅動芯片綁定連接;
通過焊接,使所述第二綁定引腳與所述第二綁定引腳對應的元器件綁定連接。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





