[發明專利]一種高容量的硅碳材料及其制備方法

有效

• 申請號: 202011247011.1
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112421002B
• 公開（公告）日: 2022-03-29
• 發明（設計）人: 喬喬;王圓方;李興月;平國政;高川;梁運輝
• 申請（專利權）人: 成都愛敏特新能源技術有限公司
• 主分類號: H01M4/36
• 分類號: H01M4/36;H01M4/38;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525
• 代理公司: 成都熠邦鼎立專利代理有限公司 51263
• 代理人: 李曉英

1.一種高容量的硅碳材料的制備方法，其特征在于：所述硅碳材料以硅材料為核，以摻有導電劑的碳層為殼，所述制備方法包括以下步驟：

S1，將硅源、包覆劑以及導電劑混合均勻，得混合物料；

S2，融合所述混合物料，得融合物料；

S3，將S2獲得的融合物料置于高溫包覆機中進行動態包覆，保溫溫度為200℃-500℃，保溫時間為2 h -10h；

S4，高溫炭化處理，得高容量的硅碳材料。

2.根據權利要求1所述的的制備方法，其特征在于：所述硅材料為硅粉和/或氧化亞硅。

3.根據權利要求1所述的的制備方法，其特征在于：所述碳層的原料為葡萄糖、蔗糖、高溫瀝青、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、酚醛樹脂、聚丙烯腈、聚苯乙烯、聚丙烯酸、聚丙烯酸鋰、聚苯胺中的至少一種。

4.根據權利要求1所述的的制備方法，其特征在于：所述導電劑選自碳納米管、富勒烯、石墨烯、石墨和炭黑中的至少一種。

5.根據權利要求1-4中任一項所述的制備方法，其特征在于：所述硅源、包覆劑與導電劑的質量比為A:B:C；

其中，A=1，B=0.01%-20%，C=0.01%-5%。

6.根據權利要求1-4中任一項所述的制備方法，其特征在于：所述硅源的粒度D50=1-10μm；所述包覆劑的粒徑為0.5-10μm；所述導電劑的粒徑為0.1-2μm。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于：所述S2具體包括：將S1獲得的混合物料置于融合機中融合，融合速率為20-50HZ，轉速為500 rmp -1000rmp，融合時間為5 min -60min。

8.根據權利要求1-4中任一項所述的制備方法，其特征在于：所述S4具體包括：將包覆處理的物料置于管式爐中，加熱至500-1100℃，保溫2 h -10h，得高容量的硅碳材料。