[發明專利]激光芯片

在審

• 申請號: 202011246583.8
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112736642A
• 公開（公告）日: 2021-04-30
• 發明（設計）人: 胡海;黃義峰;邱于珍
• 申請（專利權）人: 深圳瑞波光電子有限公司
• 主分類號: H01S5/042
• 分類號: H01S5/042;H01S5/183
• 代理公司: 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280
• 代理人: 袁江龍

1.一種激光芯片，其特征在于，所述激光芯片包括層疊設置的多個有源區以及設置于所述多個有源區上的外延層；

其中，所述激光芯片沿垂直于所述多個有源區層疊方向的延伸方向依次包括打線段和電流注入段，所述打線段與所述電流注入段之間設置有兩個貫穿所述外延層與所述多個有源區的第一隔離槽，兩個所述第一隔離槽之間形成連通所述打線段和電流注入段的棧橋，所述打線段、所述棧橋以及所述電流注入段的表面設置有金屬導電層；

其中，所述金屬導電層和所述打線段之間、所述金屬導電層和所述棧橋之間設置有絕緣層。

2.根據權利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述激光芯片還包括位于所述電流注入段遠離所述打線段一側的子段，所述子段與所述電流注入段之間設置有貫穿所述外延層與所述多個有源區的第二隔離槽。

3.根據權利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述第一隔離槽為多個，相鄰兩個所述第一隔離槽之間設置有所述棧橋。

4.根據權利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述棧橋與所述打線段或電流注入段一體成型設置。

5.根據權利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述棧橋通過在所述第一隔離槽中填充絕緣段而形成。

6.根據權利要求5所述的激光芯片，其特征在于，所述棧橋為絕緣導熱體。

7.根據權利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述有源區包括依次層疊設置的P型包覆層、P型波導層、第一量子阱層、勢壘層、第二量子阱層、N型波導層以及N型包覆層。

8.根據權利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述棧橋沿著垂直于所述延伸方向和所述層疊方向的分布方向上的長度小于或等于所述激光芯片的腔體長度的30％；

9.根據權利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述棧橋沿著垂直于所述延伸方向和所述層疊方向的分布方向上的長度小于或等于所述電流注入段沿著所述延伸方向上的長度的兩倍。

10.根據權利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述棧橋沿著垂直于所述延伸方向和所述層疊方向的分布方向上的長度大于或等于60μm，小于或等于80μm。

11.根據權利要求1所述的激光芯片，其特征在于，所述激光芯片還包括襯底，所述襯底設置于所述多個有源區遠離所述外延層的一側。