[發明專利]一種基于磁控濺射對石英諧振器升頻調節的技術在審
| 申請號： | 202011246471.2 | 申請日： | 2020-11-10 |
| 公開（公告）號： | CN112290905A | 公開（公告）日： | 2021-01-29 |
| 發明（設計）人： | 曾廣根;張駿淋;楊秀濤 | 申請（專利權）人： | 四川大學 |
| 主分類號： | H03H9/19 | 分類號： | H03H9/19 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 610065 四*** | 國省代碼： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 基于 磁控濺射 石英 諧振器 調節 技術 | ||
【權利要求書】：
1.一種基于磁控濺射對石英諧振器進行升頻調節的技術，其特征在于：將石英諧振器有規則地裝載在調頻平臺，然后將調頻平臺整體安裝在原磁控濺射靶材位置，調節磁控濺射工藝參數，使高能濺射離子作用在電極中心位置，進而實現精確升高石英諧振器頻率的目的。
2.根據權利要求1所述的一種基于磁控濺射對石英諧振器進行升頻調節的技術，其特征在于石英諧振器按照濺射離子的作用分布區域，被有規則地裝載在調頻平臺，可以是單個石英諧振器獨立裝載，也可以是多個石英諧振器陣列式裝載。
3.根據權利要求1所述的一種基于磁控濺射對石英諧振器進行升頻調節的技術，其特征在于調頻平臺能夠整體安裝在原磁控濺射靶材位置，調頻平臺可以旋轉。
4.根據權利要求1所述的一種基于磁控濺射對石英諧振器進行升頻調節的技術，其特征在于可以通過高能濺射離子先作用于石英諧振器的一面電極上，然后再使高能濺射離子作用于石英諧振器的另外一面電極上，精確地控制每面電極減薄的位置和厚度。
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