[發(fā)明專利]用于優(yōu)化扇出型封裝金屬互聯(lián)工藝的測試片及其測試方法

在審

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• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112259515A
• 公開（公告）日: 2021-01-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王新;蔣振雷
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州晶通科技有限公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485;H01L21/66;H01L21/60
• 代理公司: 南京蘇高專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) 32204
• 代理人: 張超

1.一種用于優(yōu)化扇出型封裝金屬互聯(lián)工藝的測試片，其特征在于：包括圓形的晶圓基底以及設(shè)置于晶圓基底上的至少五組簡化芯片組，所述五組簡化芯片組分別設(shè)置于晶圓基底的圓心位置以及沿其周向間隔均勻的四個(gè)位置，每組簡化芯片組包括五個(gè)呈十字星型排列的簡化芯片，簡化芯片為去除了芯片功能部分，僅保留電連接結(jié)構(gòu)的簡化芯片，每個(gè)簡化芯片上對應(yīng)于焊盤均設(shè)置設(shè)置復(fù)數(shù)條完全相同的金屬焊盤鏈，每條金屬焊盤鏈至少由100對焊盤組成，每對焊盤間通過橋接金屬線連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于優(yōu)化扇出型封裝金屬互聯(lián)工藝的測試片，其特征在于：所述焊盤為60umx60um的正方形焊盤，相鄰焊盤之間的間距為60um，橋接金屬線的寬度為40～50um。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于優(yōu)化扇出型封裝金屬互聯(lián)工藝的測試片，其特征在于：在一條金屬焊盤鏈中，在第一對焊盤之前通過橋接金屬線連接用于供電的焊盤，同樣的在最后一對焊盤之后通過橋接金屬線也連接用于供電的焊盤。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于優(yōu)化扇出型封裝金屬互聯(lián)工藝的測試片，其特征在于：在完成金屬互聯(lián)工藝后，相鄰的焊盤對間完成串聯(lián)，使得用于供電的兩個(gè)焊盤成為當(dāng)前焊盤鏈的前端和后端。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于優(yōu)化扇出型封裝金屬互聯(lián)工藝的測試片，其特征在于：每個(gè)焊盤均為自簡化芯片表面有機(jī)鈍化保護(hù)層對應(yīng)的凹槽內(nèi)外露的焊盤。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于優(yōu)化扇出型封裝金屬互聯(lián)工藝的測試片，其特征在于：橋接金屬線預(yù)埋在有機(jī)鈍化保護(hù)層內(nèi)。

7.一種如權(quán)利要求1所述的用于優(yōu)化扇出型封裝金屬互聯(lián)工藝的測試片的測試方法，其特征在于：包括以下步驟：

1)在對應(yīng)的晶圓基底上按照位置排列和設(shè)置簡化芯片，并在簡化芯片表面對應(yīng)于外露的焊盤上設(shè)置焊盤鏈；

2)在對應(yīng)所需測試的工藝條件下生成一層或多層有機(jī)鈍化保護(hù)層，并在有機(jī)鈍化保護(hù)層形成的凹槽內(nèi)形成焊盤對間互聯(lián)的金屬布線；

3)在每條金屬焊盤鏈中，在第一對焊盤之前通過橋接金屬線連接用于供電的焊盤，同樣的在最后一對焊盤之后通過橋接金屬線也連接用于供電的焊盤；

4)電阻測試儀器的兩個(gè)電流探頭分別連接每條金屬焊盤鏈的第一個(gè)焊盤和最后一個(gè)焊盤所生成的金屬布線的觸點(diǎn)，電壓探頭分別連接第二個(gè)焊盤與倒數(shù)第二個(gè)焊盤上面所生成的金屬布線的觸點(diǎn)，用電壓U除以電流I即得到金屬焊盤鏈所形成的總電阻，并將總電阻去除焊盤本身的電阻常數(shù)以及金屬布線本身的電阻常數(shù)，即可得到當(dāng)前工藝條件下焊盤間的接觸電阻。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于優(yōu)化扇出型封裝金屬互聯(lián)工藝的測試片的測試方法，其特征在于：所述步驟4)根據(jù)金屬焊盤鏈的條數(shù)，重復(fù)對應(yīng)的次數(shù)，以得到復(fù)數(shù)組接觸電阻值作為參考。