[發明專利]高耦合分裂電抗器的限流器及其結構布局設計方法、裝置

有效

• 申請號: 202011245491.8
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112364539B
• 公開（公告）日: 2023-01-17
• 發明（設計）人: 王勇;劉俊翔;莫文雄;朱璐;韓永霞;黃健寧
• 申請（專利權）人: 廣東電網有限責任公司廣州供電局;華南理工大學
• 主分類號: G06F30/23
• 分類號: G06F30/23;G06F30/17;H02J3/00;H02H9/02
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 林梅繁

1.高耦合分裂電抗器的限流器的結構布局設計方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1、獲取高耦合分裂電抗器的限流器各組件的結構尺寸、電導率、相對介電常數以及相對磁導率，進行電磁場分析的基本參數；

S2、利用高耦合分裂電抗器的限流器所在電力系統的網架結構及參數，采用電磁暫態仿真分析獲取高耦合分裂電抗器的限流器在正常運行、典型故障和雷擊下的各組件正常電流和最大過電流、端對地和端間的工作電壓及最大過電壓；

S3、采用電力系統絕緣配合方法，利用最大過電壓計算結果，獲取高耦合分裂電抗器的限流器各組件的端間和端對地操作沖擊耐受電壓和雷電沖擊耐受電壓；

S4、根據高耦合分裂電抗器的限流器各組件的端間和端對地操作沖擊耐受電壓和雷電沖擊耐受電壓，獲取高耦合分裂電抗器的限流器各組件的端間、端對地和相間最小空氣距離；

S5、根據高耦合分裂電抗器的限流器各組件的結構尺寸、材料屬性及端間和端對地最小空氣距離，設計高耦合分裂電抗器的限流器的結構布局，搭建高耦合分裂電抗器的限流器各組件的三維有限元仿真分析模型；

S6、根據高耦合分裂電抗器的限流器各組件的工作電壓、工作電流、最大過電流和最大過電壓，在高耦合分裂電抗器的限流器的三維有限元仿真模型中，加載獲取的電流及電壓，仿真分析高耦合分裂電抗器的限流器各組件的電磁場分布，結合設備和人身電磁環境標準要求，判斷高耦合分裂電抗器的限流器結構布局的合理性，調整高耦合分裂電抗器的限流器的結構布局，直至電磁場分布符合電磁環境標準要求，獲取高耦合分裂電抗器的限流器的結構布局方案。

2.根據權利要求1所述的高耦合分裂電抗器的限流器的結構布局設計方法，其特征在于，步驟S2進行電磁暫態仿真分析的具體步驟包括：

S21、根據高耦合分裂電抗器的限流器所在電力系統的網架結構及參數，建立電源、線路、負荷、斷路器、避雷器、桿塔、絕緣子、變電站設備和高耦合分裂電抗器的限流器電磁暫態仿真模型；

S22、通過確定電磁暫態仿真模型，利用電磁暫態仿真軟件進行電磁暫態仿真。

3.根據權利要求1所述的高耦合分裂電抗器的限流器的結構布局設計方法，其特征在于，步驟S3中獲取高耦合分裂電抗器的限流器各組件的端間和端對地操作沖擊耐受電壓和雷電沖擊耐受電壓的具體步驟如下：

S31、統計高耦合分裂電抗器的限流器各組件端間和端對地操作沖擊下最大過電壓和雷電沖擊下最大過電壓；

S32、獲取交流設備的額定沖擊耐受電壓標準值；

S33、利用交流設備的額定沖擊耐受電壓標準值，取值作為高耦合分裂電抗器的限流器各組件端間和端對地操作沖擊耐受電壓和雷電沖擊耐受電壓。

4.根據權利要求1所述的高耦合分裂電抗器的限流器的結構布局設計方法，其特征在于，步驟S4的高耦合分裂電抗器的限流器各組件的端間、端對地和相間最小空氣距離的獲取包括以下步驟：

S41、獲取高耦合分裂電抗器的限流器各組件端間和端對地最小空氣距離的工業標準；

S42、根據工業標準及高耦合分裂電抗器的限流器各組件的端間和端對地操作沖擊耐受電壓和雷電沖擊耐受電壓，確定高耦合分裂電抗器的限流器各組件的端間、端對地和相間最小空氣距離。

5.根據權利要求1所述的高耦合分裂電抗器的限流器的結構布局設計方法，其特征在于，步驟S5的高耦合分裂電抗器的限流器的結構布局設計的具體步驟包括：

S51、利用高耦合分裂電抗器的限流器各組件端間和端對地最小空氣距離，取裕度確定高耦合分裂電抗器的限流器各組件端間和端對地空氣距離；

S52、根據高耦合分裂電抗器的限流器各組件端間和端對地空氣距離及高耦合分裂電抗器的限流器拓撲結構對高耦合分裂電抗器的限流器各組件進行空間上的布局。