[發(fā)明專利]三維存儲器及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011244623.5
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112331667B
• 公開（公告）日: 2021-09-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 許波;吳智鵬;郭亞麗;劉思敏;陳斌;王同;袁彬;許宗珂;楊竹;王香凝
• 申請（專利權(quán)）人: 長江存儲科技有限責(zé)任公司
• 主分類號: H01L27/11565
• 分類號: H01L27/11565;H01L27/1157;H01L27/11582
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 遠(yuǎn)明

1.一種三維存儲器，其特征在于，包括：

襯底；

位于所述襯底上的堆疊結(jié)構(gòu)，所述堆疊結(jié)構(gòu)包括多個區(qū)域，所述區(qū)域包括沿平行于所述襯底的第一橫向分布的核心區(qū)，以及至少位于所述核心區(qū)一側(cè)的階梯區(qū)；

第一分隔結(jié)構(gòu)和第二分隔結(jié)構(gòu)，所述第一分隔結(jié)構(gòu)包括相連接的第一主體部和第一接頭部，所述第二分隔結(jié)構(gòu)包括相連接的第二主體部和第二接頭部，所述第一分隔結(jié)構(gòu)與所述第二分隔結(jié)構(gòu)通過所述第一接頭部與所述第二接頭部相連接，所述第一主體部和所述第二主體部沿所述第一橫向延伸；其中，

所述第一接頭部在連接所述第一主體部的第一曲折點(diǎn)偏離所述第一橫向而延續(xù)所述第一主體部單一曲折延伸，并與所述第二接頭部相交錯連接。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述第一主體部與所述第二主體部位于同一直線上，且所述第一接頭部和所述第二接頭部均位于所述核心區(qū)以及所述階梯區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述第二接頭部在連接所述第二主體部的第二曲折點(diǎn)偏離所述第一橫向而延續(xù)所述第二主體部單一曲折延伸，使得所述第一分隔結(jié)構(gòu)與所述第二分隔結(jié)構(gòu)均呈折線形，且所述第一接頭部與所述第二接頭部在遠(yuǎn)離所述第一曲折點(diǎn)與所述第二曲折點(diǎn)處相交錯連接而具有交叉點(diǎn)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述第二接頭部在連接所述第二主體部的第二曲折點(diǎn)偏離所述第一橫向而延續(xù)所述第二主體部單一曲折延伸，所述第一接頭部與所述第二接頭部在偏離所述第一曲折點(diǎn)與所述第二曲折點(diǎn)后均呈弧形延伸且呈鉤子狀橫截面而具有回折狀開口，所述第一接頭部與所述第二接頭部的末端相互伸入各回折狀開口而呈鉤連狀。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述第一接頭部在遠(yuǎn)離所述第一曲折點(diǎn)后沿所述第一橫向呈波形延伸，所述第二接頭部在所述第一橫向上呈直線形延伸。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的三維存儲器，其特征在于，所述第一接頭部在遠(yuǎn)離所述第一曲折點(diǎn)后沿所述第一橫向呈矩形脈沖波形或正弦波形延伸，所述第一接頭部與所述第二接頭部相交于至少兩個交錯連接部。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維存儲器，其特征在于，所述第一分隔結(jié)構(gòu)填充有絕緣材料；

所述第二分隔結(jié)構(gòu)填充導(dǎo)電材料形成陣列共源極。

8.一種三維存儲器的制造方法，其特征在于，包括：

提供襯底；

在所述襯底上形成堆疊結(jié)構(gòu)，并定義沿平行于所述襯底的第一橫向分布的核心區(qū)以及位于核心區(qū)至少一側(cè)的階梯區(qū)；

在所述堆疊結(jié)構(gòu)中形成至少一個第一分隔結(jié)構(gòu)，所述第一分隔結(jié)構(gòu)包括相連接的第一主體部和第一接頭部；

在所述堆疊結(jié)構(gòu)中形成至少一個第二分隔結(jié)構(gòu)，所述第二分隔結(jié)構(gòu)包括相連接的第二主體部和第二接頭部，所述第一分隔結(jié)構(gòu)與所述第二分隔結(jié)構(gòu)通過所述第一接頭部與所述第二接頭部相連接，所述第一主體部和所述第二主體部沿所述第一橫向延伸，以將所述堆疊結(jié)構(gòu)劃分為至少兩個相鄰的區(qū)域；其中，

所述第一接頭部在連接所述第一主體部的第一曲折點(diǎn)偏離所述第一橫向而延續(xù)所述第一主體部單一曲折延伸，并與所述第二接頭部相交錯連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述第一主體部與所述第二主體部位于同一直線上，且所述第一接頭部和所述第二接頭部均位于所述核心區(qū)以及所述階梯區(qū)。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的三維存儲器的制造方法，其特征在于，所述第二接頭部在連接所述第二主體部的第二曲折點(diǎn)偏離所述第一橫向而延續(xù)所述第二主體部單一曲折延伸，使得所述第一分隔結(jié)構(gòu)與所述第二分隔結(jié)構(gòu)均呈折線形，且所述第一接頭部與所述第二接頭部在遠(yuǎn)離所述第一曲折點(diǎn)與所述第二曲折點(diǎn)處相交錯連接而具有交叉點(diǎn)。