[發明專利]一種基于Flip-chip連接的超薄封裝件及其制作工藝

在審

• 申請號: 202011244501.6
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112349674A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發明（設計）人: 肖國慶
• 申請（專利權）人: 江西芯世達微電子有限公司
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/48;H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 南昌金軒知識產權代理有限公司 36129
• 代理人: 孫文偉

1.一種基于Flip-chip連接的超薄封裝件，其特征在于：所述封裝件包括：

塑封體(4)、芯片(3)、多個金屬凸點(2)、鍍銀層(5)、鍍NiPdAu層(6)、銅倒角連接層(7)以及引線框架(1)；

所述鍍銀層(5)為多段式層結構，且形成相互獨立間隔的層段；

所述芯片(3)的電氣面植有所述金屬凸點(2)；所述芯片(3)通過所述金屬凸點(2)電氣接合于所述所述鍍銀層(5)上；

所述塑封體(4)能夠將所述金屬凸點(2)、所述芯片(3)、所述鍍銀層(5)、所述鍍NiPdAu層(6)和所述銅倒角連接層(7)填充包圍；

所述金屬凸點(2)與引線框架(1)通過導線連通；使其所述金屬凸點(2)、所述鍍銀層(5)、所述銅倒角連接層(7)與所述鍍NiPdAu層(6)構成電路的電源和信號通道。

2.如權利要求1所述的一種基于Flip-chip連接的超薄封裝件，其特征在于：

所述塑封體(4)為絕緣材質，填充在整個封裝件的空間內部。

3.一種基于Flip-chip連接的超薄封裝件的制作工藝，其特征在于：具體按照以下步驟進行：

步驟1，在所述引線框架(1)的預定位置上鍍NiPdAu，并形成所述鍍NiPdAu層(6)；所述鍍NiPdAu層(6)的厚度為3um～5um；

步驟2，在步驟1所述鍍NiPdAu層(6)上形成所述銅倒角連接層(7)，所述銅倒角連接層(7)的厚度為50um～100um；并腐蝕成倒凸臺；

步驟3，在步驟2所述銅倒角連接層(7)上鍍所述鍍銀層(5)；所述鍍銀層(5)的厚度為3um～5um；

步驟4，進行減薄處理，減薄厚度為50μm～200μm，并控制表面粗糙度為Ra 0.10mm～0.05mm；

步驟5，采用劃片機進行劃片；

步驟6，在所述芯片(3)上用植球的方式作出所述金屬凸點(2)，倒裝上芯后直接和所述引線框架(1)連通；

步驟7，對整體進行塑封，塑封料填充滿所述銅倒角連接層(7)的凹槽，形成有效的防拖拉結構，確保封裝可靠性；

步驟8，用化學溶液腐蝕掉全部所述引線框架(1)，并露出所述鍍NiPdAu層(6)；

步驟9，將步驟8形成的封裝件進行切割、包裝。

4.如權利要求3所述的一種基于Flip-chip連接的超薄封裝件的制作工藝，其特征在于：

所述銅倒角連接層(7)的材質為A194。