[發明專利]一種大尺寸X面KTP晶體及其生長方法

有效

• 申請號: 202011244403.2
• 申請日: 2020-11-10
• 公開（公告）號: CN112391678B
• 公開（公告）日: 2022-04-19
• 發明（設計）人: 譚云東;張婷婷;杜曰強;方治文
• 申請（專利權）人: 山東重山光電材料股份有限公司
• 主分類號: C30B29/14
• 分類號: C30B29/14;C30B9/12
• 代理公司: 山東舜源聯合知識產權代理有限公司 37359
• 代理人: 于曉曉

1.一種大尺寸X面KTP晶體生長方法，其特征在于，包括如下步驟：

(1)從可獲得的X軸向的KTP原晶胚料中切割籽晶，籽晶的X面、Y面和Z面相互垂直，對籽晶其中一個X面與Z面相交的兩條邊細磨倒角，倒角邊與豎直方向的夾角為45°；

(2)以KTP與K₆P₄O₁₃的質量比＝0.46:1，將KH₂PO₄、TiO₂和K₂CO₃充分均勻混合后置于鉑金坩堝中，先升溫至1000℃進行充分的熔化反應，反應時間為6h，然后升溫至1100℃進行燒料，燒料時間為12h，再恒溫攪拌24h，形成均勻穩定的熔體，最后冷卻到熔液的飽和點；

以經倒角處理的X面為籽晶生長面，將籽晶浸入熔液中進行下種籽晶并生長，浸入深度為5mm，整個晶體生長周期的降溫幅度為200℃，前43天降溫速率為0.6℃/天，之后每天降溫速率為2.6℃/天，生長周期共110天，晶體轉動速度30r/min，晶體生長過程中不提拉籽晶。