[發明專利]一種基于仿生視覺的CMOS圖像傳感器像素結構在審
| 申請號: | 202011243957.0 | 申請日: | 2020-11-10 |
| 公開(公告)號: | CN112420759A | 公開(公告)日: | 2021-02-26 |
| 發明(設計)人: | 曲楊;常玉春;梁紅偉;劉巖;婁珊珊;鐘國強;程禹;宋辰昱;曹伉 | 申請(專利權)人: | 大連理工大學 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H04N5/374 |
| 代理公司: | 大連格智知識產權代理有限公司 21238 | 代理人: | 劉琦 |
| 地址: | 116024 遼*** | 國省代碼: | 遼寧;21 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 基于 仿生 視覺 cmos 圖像傳感器 像素 結構 | ||
1.一種基于仿生視覺的CMOS圖像傳感器像素結構,其特征在于,包括:彩色信號收集單元、黑白信號收集單元、第三轉移晶體管TG3、復位晶體管RST、源極跟隨器SF和行選擇晶體管RS;
所述黑白信號收集單元,包括:第一鉗位光電二極管PPD1、第一轉移晶體管TG1和第一浮置擴散電容FD1;所述第一鉗位光電二極管PPD1無彩色濾光片;所述第一鉗位光電二極管PPD1反向偏置,所述第一鉗位光電二極管PPD1的陽極接地、陰極與第一轉移晶體管TG1漏極相接;所述第一轉移晶體管TG1的源極與第一浮置擴散電容FD1的第一端子相接;所述第一浮置擴散電容FD1的第二端子接地;
所述彩色信號收集單元,包括:第二鉗位光電二極管PPD2、第二轉移晶體管TG2和第二浮置擴散電容FD2;所述第二鉗位光電二極管PPD2有彩色濾光片;所述第二鉗位光電二極管PPD2反向偏置,所述第二鉗位光電二極管PPD2的陽極接地、陰極與第二轉移晶體管TG2漏極相接;所述第二轉移晶體管TG2的源極與第二浮置擴散電容FD2的第一端子相接;所述浮置擴散電容FD2的第一端子與第三轉移晶體管TG3的漏極相接;
所述轉移晶體管TG3的源極與第一浮置擴散電容FD1的第一端子相接,并與復位晶體管RST的源極和源極跟隨器SF的柵極相連;
所述復位晶體管RST的漏極與電源電壓VDD相連;
所述源極跟隨器SF的漏極與電源電壓VDD相連;所述源極跟隨器SF的源極與行選擇晶體管RS的漏極相連。
2.根據權利要求1所述的基于仿生視覺的CMOS圖像傳感器像素結構,其特征在于,所述行選擇晶體管RS的源極與讀出電路相連。
3.根據權利要求1所述的基于仿生視覺的CMOS圖像傳感器像素結構,其特征在于,所述第一浮置擴散電容FD1的電容為5至10fF。
4.根據權利要求1所述的基于仿生視覺的CMOS圖像傳感器像素結構,其特征在于,所述第二浮置擴散電容FD2的電容為700至1000fF。
5.根據權利要求1所述的基于仿生視覺的CMOS圖像傳感器像素結構,其特征在于,所述基于仿生視覺的CMOS圖像傳感器像素結構的工作時序控制過程:
第一步,在CMOS圖像傳感器像素結構開始曝光前,將復位晶體管RST的復位信號reset拉到高電平,開啟復位晶體管RST,同時將第三轉移晶體管TG3的控制信號TX3拉到高電平,此時第一浮置擴散電容FD1和第二浮置擴散電容FD2合并,將第一采樣信號Samp1拉高,讀取第一讀出信號Signal1,讀取完畢后拉低第一采樣信號Samp1;其中,第一讀出信號Signal1為第一浮置擴散電容FD1和第二浮置擴散電容FD2合并電容中的電荷信號;
第二步,將第三轉移晶體管TG3的控制信號TX3拉到低電平,合并電容被拆分成第一浮置擴散電容FD1和第二浮置擴散電容FD2,將第二采樣信號Samp2拉高,讀取第二讀出信號Signal2,讀取完畢后拉低第二采樣信號Samp2;其中,第二讀出信號Signal2為第一浮置擴散電容FD1中的電荷信號;
第三步,CMOS圖像傳感器像素結構開始曝光,第一鉗位光電二極管PPD1和第二鉗位光電二極管PPD2中收集光生電子;
第四步,曝光周期結束,分別將第一轉移晶體管TG1的控制信號TX1和第二轉移晶體管TG2的控制信號TX2拉到高電平,分別轉移光生電子到第一浮置擴散電容FD1和第二浮置擴散電容FD2中;隨后拉高第三采樣信號Samp3,讀取第一浮置擴散電容FD1的第三讀出信號Signal3,讀取完畢后拉低第三采樣信號Samp3,其中,第三讀出信號Signal3為第一浮置擴散電容FD1中的電荷信號;
第五步,將第一轉移晶體管TG1的控制信號TX1和第二轉移晶體管TG2的控制信號TX2拉到低電平,關斷第一轉移晶體管TG1和第二轉移晶體管TG2;將第三轉移晶體管TG3的控制信號TX3拉到高電平,將第一浮置擴散電容FD1和第二浮置擴散電容FD2中的電荷混合;拉高第四采樣信號Samp4,讀取第一浮置擴散電容FD1和第二浮置擴散電容FD2的合并電容的第四讀出信號Signal4,讀取完畢后拉低第四采樣信號Samp4,其中,第四讀出信號Signal4為第一浮置擴散電容FD1和第二浮置擴散電容FD2的合并電容的電荷信號;
第六步,重復第一步,開始下一次曝光。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





