[發(fā)明專利]半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)及其形成方法、半導(dǎo)體器件的測(cè)試方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011243675.0
• 申請(qǐng)日: 2020-11-10
• 公開（公告）號(hào): CN112103203B
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 田文星;目晶晶
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 晶芯成（北京）科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237
• 代理人: 曹廷廷

1.一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底上形成有半導(dǎo)體器件；以及，

與所述半導(dǎo)體器件電連接的測(cè)試端，一個(gè)所述半導(dǎo)體器件連接有兩個(gè)測(cè)試端；

其中，所述兩個(gè)測(cè)試端與所述半導(dǎo)體器件通過單向?qū)ńY(jié)構(gòu)連接，所述兩個(gè)測(cè)試端中的任意一個(gè)所述測(cè)試端和所述一個(gè)半導(dǎo)體器件之間均并聯(lián)連接有兩個(gè)單向?qū)ńY(jié)構(gòu)，并且所述兩個(gè)單向?qū)ńY(jié)構(gòu)的導(dǎo)通方向相反。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，

所述單向?qū)ńY(jié)構(gòu)包括第一插塞、一層金屬線、以及第二插塞；所述一層金屬線通過所述第一插塞與所述半導(dǎo)體器件電連接，并通過所述第二插塞與所述測(cè)試端電連接，所述一層金屬線中形成有單向?qū)ㄆ骷?/p>

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單向?qū)ńY(jié)構(gòu)包括第一插塞、至少兩層金屬線、用于電連接相鄰層金屬線的第三插塞、以及第二插塞；所述至少兩層金屬線的底層金屬線通過第一插塞與所述半導(dǎo)體器件電連接，所述至少兩層金屬線的頂層金屬線通過第二插塞與所述測(cè)試端電連接，以及，所述至少兩層金屬線的任一層金屬線中形成有單向?qū)ㄆ骷?/p>

4.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述單向?qū)ㄆ骷≒N結(jié)。

5.一種半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括：

提供一襯底，所述襯底上形成有半導(dǎo)體器件；

在所述襯底上形成單向?qū)ńY(jié)構(gòu)以及測(cè)試端；

其中，所述測(cè)試端與所述半導(dǎo)體器件通過單向?qū)ńY(jié)構(gòu)連接，一個(gè)所述半導(dǎo)體器件連接有兩個(gè)測(cè)試端，所述兩個(gè)測(cè)試端中的任意一個(gè)所述測(cè)試端和所述一個(gè)半導(dǎo)體器件之間均并聯(lián)連接有兩個(gè)單向?qū)ńY(jié)構(gòu)，并且所述兩個(gè)單向?qū)ńY(jié)構(gòu)的導(dǎo)通方向相反。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，在所述襯底上形成單向?qū)ńY(jié)構(gòu)以及測(cè)試端的方法包括：

在所述襯底上形成第一介質(zhì)層，并在所述第一介質(zhì)層中形成四個(gè)第一插塞，每個(gè)所述第一插塞均電連接至所述半導(dǎo)體器件；

在所述第一介質(zhì)層上形成N層金屬互連結(jié)構(gòu)，N為正整數(shù)，每層金屬互連結(jié)構(gòu)包括分立設(shè)置的四個(gè)金屬線；其中，當(dāng)N為1時(shí)，N層金屬互連結(jié)構(gòu)包括一層金屬互連結(jié)構(gòu)，所述一層金屬互連結(jié)構(gòu)中的每個(gè)金屬線分別連接至一個(gè)第一插塞，所述一層金屬互連結(jié)構(gòu)中的每個(gè)金屬線中均形成有單向?qū)ㄆ骷划?dāng)N大于1時(shí)，所述N層金屬互連結(jié)構(gòu)中的底層金屬互連結(jié)構(gòu)的每個(gè)金屬線分別連接至一個(gè)第一插塞，所述N層金屬互連結(jié)構(gòu)中的每層金屬互連結(jié)構(gòu)的每個(gè)金屬線均通過一第三插塞連接至相鄰層金屬互連結(jié)構(gòu)的一個(gè)金屬線，以此形成多組層疊連接的N層金屬線，每組所述層疊連接的N層金屬線中的任一層金屬線中形成有單向?qū)ㄆ骷黄渲校纬捎袉蜗驅(qū)ㄆ骷慕饘倬€中至少部分金屬線中的單向?qū)ㄆ骷膶?dǎo)通方向與其他金屬線中的單向?qū)ㄆ骷膶?dǎo)通方向相反；

在N層金屬互連結(jié)構(gòu)上形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層中形成有四個(gè)第二插塞；其中，當(dāng)N為1，N層金屬互連結(jié)構(gòu)包括一層金屬互連結(jié)構(gòu)時(shí)，每個(gè)所述第二插塞均連接至所述一層金屬互連結(jié)構(gòu)中的一個(gè)金屬線，且相互連接的第一插塞、金屬線、第二插塞組成一單向?qū)ńY(jié)構(gòu)；當(dāng)N大于1時(shí)，每個(gè)所述第二插塞均連接至所述N層金屬互連結(jié)構(gòu)的頂層金屬互連結(jié)構(gòu)中的一個(gè)金屬線，且相互連接的第一插塞、層疊連接的N層金屬線、第二插塞組成一個(gè)單向?qū)ńY(jié)構(gòu)；

在所述第二介質(zhì)層上形成兩個(gè)測(cè)試端，每個(gè)測(cè)試端均對(duì)應(yīng)連接兩個(gè)單向?qū)ńY(jié)構(gòu)，且所述兩個(gè)單向?qū)ńY(jié)構(gòu)中的導(dǎo)通方向相反。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體測(cè)試結(jié)構(gòu)的形成方法，其特征在于，所述單向?qū)ㄆ骷≒N結(jié)；

以及，在所述金屬線中形成所述單向?qū)ㄆ骷姆椒òǎ?/p>

在所述金屬線中定義出相鄰的第一區(qū)域和第二區(qū)域；

分別向所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域中注入N型離子和P型離子，以構(gòu)成PN結(jié)。