[發明專利]一種軸向異質結構納米陣列、制備方法和應用在審
| 申請號: | 202011242191.4 | 申請日: | 2020-11-09 |
| 公開(公告)號: | CN112435860A | 公開(公告)日: | 2021-03-02 |
| 發明(設計)人: | 陳南;孫小彤;劉倩雯 | 申請(專利權)人: | 北京理工大學 |
| 主分類號: | H01G11/36 | 分類號: | H01G11/36;H01G11/46;H01G11/86;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司: | 北京理工大學專利中心 11120 | 代理人: | 周蜜 |
| 地址: | 100081 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 軸向 結構 納米 陣列 制備 方法 應用 | ||
1.一種軸向異質結構納米陣列,其特征在于:所述納米陣列是由PEDOT和MnO2組成的納米線構成的納米陣列,MnO2通過電化學沉積與PEDOT軸向結合在一起。
2.根據權利要求1所述的一種軸向異質結構納米陣列,其特征在于:所述納米陣列的平均長度為2μm~10μm;PEDOT納米線與MnO2納米線的長度比為3:1~1:5。
3.一種如權利要求1或2所述的軸向異質結構納米陣列的制備方法,其特征在于:所述方法步驟如下:
電化學沉積所用電極體系如下:模板用作工作電極,鉑片用作對電極,Ag/AgCl電極用作對電極,室溫下,進行電化學沉積,電壓為0.9V~1.1V;
所述模板底部為平面基底,基底上表面設有垂直孔道用于生長所述納米陣列,平面基底上表面材料為金,垂直孔道材料為陽極氧化鋁;
將所述電極體系放入電化學沉積的容器中,向容器中加入EDOT水溶液和LiClO4水溶液,電化學沉積生長PEDOT納米陣列,生長完成后停止電化學沉積,棄去溶液,并用水清洗電化學沉積容器;然后加入MnAc2水溶液和Na2SO4水溶液,繼續電化學沉積,在PEDOT上生長MnO2,生長完成后移除模板,清洗,得到一種軸向異質結構納米陣列。
4.根據權利要求3所述的一種軸向異質結構納米陣列的制備方法,其特征在于:EDOT與LiClO4的物質的量之比為1:1;MnAc2和Na2SO4的物質的量之比為1:1;
EDOT水溶液中EDOT的濃度為0.1M,LiClO4水溶液中LiClO4的濃度為0.1M,MnAc2水溶液中MnAc2的濃度為0.1M,Na2SO4水溶液中Na2SO4的濃度為0.1M;
MnO2電化學沉積時間為100s~2000s。
5.一種如權利要求1或2中所述的軸向異質結構納米陣列的應用,其特征在于:所述應用是作為微型超級電容器的電極。
6.根據權利要求5所述的一種軸向異質結構納米陣列的應用,其特征在于:將軸向異質結構納米陣列粘貼到膠帶上,采用激光刻蝕制成電極;所述膠帶為聚酰亞胺膠帶、亞克力膠帶或聚對苯二甲酸乙二醇酯膠帶。
7.根據權利要求5所述的一種軸向異質結構納米陣列的應用,其特征在于:電極為叉指電極;每個叉指電極的叉指個數為3個~6個,每個叉指長3mm~4mm,寬0.5mm~0.6mm,兩個相鄰叉指間隔0.3mm~0.6mm。
8.一種微型超級電容器,其特征在于:所述微型超級電容器的電極為如權利要求1或2所述的軸向異質結構納米陣列制成的電極。
9.一種如權利要求8所述的微型超級電容器的制備方法,其特征在于:所述方法步驟如下:
(1)將PVA加入水中,再加入LiCl,攪拌下升溫至90℃~95℃,持續攪拌直至獲得澄清透明的LiCl和PVA混合液,冷卻得到凝膠電解質;
(2)將液體凝膠電解質滴在電極表面,常溫靜置凝固,得到一種微型超級電容器。
10.根據權利要求9所述的一種微型超級電容器的制備方法,其特征在于:PVA、水和LiCl的用量比例為2g:20mL:4.2g;采用油浴磁力攪拌;在90℃~95℃持續攪拌4h~5h。
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