[發明專利]一種星載甚低頻前置放大器

有效

• 申請號: 202011241876.7
• 申請日: 2020-11-09
• 公開（公告）號: CN112350673B
• 公開（公告）日: 2023-06-27
• 發明（設計）人: 袁同力;朱澤坤;伍小保
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第三十八研究所
• 主分類號: H03F1/56
• 分類號: H03F1/56;H03F1/02;H03F1/26;H03F1/30;H03F1/42;H03F3/68;H03F3/185
• 代理公司: 合肥市浩智運專利代理事務所(普通合伙) 34124
• 代理人: 丁瑞瑞

1.一種星載甚低頻前置放大器，其特征在于，包括依次連接的具有高輸入阻抗的前級放大器、第一射極跟隨器、兩級增益放大器以及第二射極跟隨器，前級放大器的輸入端與天線連接并進行輸入匹配，第一射極跟隨器輸出低阻抗與兩級增益放大器匹配，第二射極跟隨器輸出低阻抗并進行輸出匹配；所述前級放大器為JFET管和雙極型NPN晶體管共同組成的串式共源共基組合放大器；所述第一射極跟隨器與所述第二射極跟隨器的電路結構相同，所述第一射極跟隨器包括順次編號的電阻R10至電阻R14、晶體管T2、電容C6以及電容C7，電阻R10的一端以及電阻R11的一端均與12V電源連接，電阻R10的另一端分別與前級放大器的輸出端VO1、電阻R13的一端以及晶體管T2的基極連接，電阻R11的另一端與晶體管T2的集電極連接，晶體管T2的發射極分別與電容C7的一端以及電阻R12的一端連接，電阻R12的另一端分別與電阻R14的一端以及電容C6的一端連接，電阻R13的另一端、電阻R14的另一端以及電容C6的另一端均接地，電容C7的另一端作為第一射極跟隨器的輸出端VO2。

2.根據權利要求1所述的一種星載甚低頻前置放大器，其特征在于，所述天線的等效模型包括電源V₁、電阻R1以及電容C1，電源V1的一端通過電阻R1與電容C1的一端連接。

3.根據權利要求1所述的一種星載甚低頻前置放大器，其特征在于，所述前級放大器包括順序編號的電阻R2至電阻R8、順序編號的電容C2至電容C4、場效應管J1以及晶體管T1，所述電阻R2的一端與電阻R4的一端以及電阻R3的一端連接，電容C1的另一端與電阻R4的另一端以及場效應管J1的柵極連接，電阻R3的另一端分別與電阻R5的一端以及電阻R6的一端連接并接12V電源，電阻R5的另一端分別與晶體管T1的集電極以及電容C4的一端連接，晶體管T1的發射極與場效應管J1的漏極連接，場效應管J1的源極分別與電容C2的一端以及電阻R7的一端連接，晶體管T1的基極分別與電阻R6的另一端、電阻R8的一端以及電容C3的一端連接，電阻R2的另一端、電容C2的另一端、電阻R7的另一端、電阻R8的另一端以及電容C3的另一端均接地，電容C4的另一端作為前級放大器的輸出端VO1。

4.根據權利要求3所述的一種星載甚低頻前置放大器，其特征在于，所述前級放大器的增益為，其中，為場效應管J1的跨導。

5.根據權利要求1所述的一種星載甚低頻前置放大器，其特征在于，所述兩級增益放大器包括順次編號的電阻R16至電阻R26、順次編號的電容C9至電容C13、晶體管T3以及晶體管T4，所述電阻R16的一端、電阻R18的一端、電阻R21的一端以及電阻R24的一端均與12V電源連接，電阻R16的另一端分別與第一射極跟隨器的輸出端VO2、晶體管T3的基極以及電阻R17的一端連接，電阻R18的另一端分別與電阻R19的一端以及晶體管T3的集電極連接，晶體管T3的發射極分別與電阻R19的一端以及電阻R23的一端連接，電阻R19的另一端分別與電阻R20的一端以及電容C10的一端連接，電阻R21的另一端分別與電容C9的另一端、電阻R22的一端以及晶體管T4的基極連接，電阻R24的另一端分別與電容C23的一端以及晶體管T4的集電極連接，晶體管T4的發射極通過電阻R25分別與電阻R26的一端以及電容C12的一端連接，電阻R23的另一端通過電容C11與電容C13的一端連接，電阻R17的另一端、電阻R20的另一端、電容C10的另一端、電阻R22的另一端、電阻R26的另一端以及電容C12的另一端均接地，電容C13的另一端作為兩級增益放大器的輸出端VO3。

6.根據權利要求5所述的一種星載甚低頻前置放大器，其特征在于，所述兩級增益放大器的增益為。

7.根據權利要求1所述的一種星載甚低頻前置放大器，其特征在于，所述第二射極跟隨器輸出低阻抗為50歐姆。

8.根據權利要求1所述的一種星載甚低頻前置放大器，其特征在于，所述前級放大器的輸入端至少具有10MΩ的輸入阻抗，該輸入阻抗與天線匹配。