[發(fā)明專利]顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011239658.X | 申請(qǐng)日: | 2020-11-09 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112864195A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金度亨;李晙碩;S·李;D·洪 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 樂(lè)金顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;李彥麗 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示裝置 | ||
1.一種顯示裝置,包括:
像素電極,所述像素電極包括第一子像素電極和第二子像素電極,所述第一子像素電極和所述第二子像素電極被布置成在基板上的多個(gè)子像素中的至少一個(gè)子像素內(nèi)彼此間隔開(kāi);
驅(qū)動(dòng)晶體管,所述驅(qū)動(dòng)晶體管驅(qū)動(dòng)所述至少一個(gè)子像素;以及
連接電極結(jié)構(gòu),所述連接電極結(jié)構(gòu)將所述像素電極的所述第一子像素電極和所述第二子像素電極中的至少一個(gè)子像素電極與所述驅(qū)動(dòng)晶體管電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述連接電極結(jié)構(gòu)包括:
第一連接電極,所述第一連接電極從所述第一子像素電極的第一端向第一方向延伸,其中,所述第一方向是與從所述第一子像素電極至所述第二子像素電極的方向垂直的方向;
第二連接電極,所述第二連接電極從所述第二子像素電極的第一端向所述第一方向延伸;
第三連接電極,所述第三連接電極電連接至所述驅(qū)動(dòng)晶體管并且向所述第一方向延伸;以及
第四連接電極,所述第四連接電極具有與所述第一連接電極接觸的第一端和與所述第二連接電極接觸的第二端,所述第四連接電極與所述第三連接電極在所述第一端與所述第二端之間接觸,并且布置在與所述第一連接電極、所述第二連接電極和所述第三連接電極中的至少一個(gè)連接電極不同的層中并與所述層接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置,其中,所述第一子像素電極和所述第二子像素電極中的至少一個(gè)子像素電極部分地布置在所述驅(qū)動(dòng)晶體管上,并且所述第四連接電極布置在與構(gòu)成所述驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層相同的層上,
其中,所述第四連接電極沿與所述第一方向不同或正交的第二方向布置,并且所述第四連接電極通過(guò)橋接器將所述第一連接電極與所述第三連接電極連接,或者通過(guò)橋接器將所述第二連接電極與所述第三連接電極連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置,其中,所述第四連接電極為氧化物半導(dǎo)體層,或者所述第四連接電極包括與所述驅(qū)動(dòng)晶體管的有源層的材料相同的材料并且所述第四連接電極的厚度為或更小。
5.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的顯示裝置,還包括:
在所述基板上的緩沖層;
在所述有源層或者所述第四連接電極上的第一絕緣膜,其中,所述有源層或所述第四連接電極在所述緩沖層上;以及
在所述第一絕緣膜上的第二絕緣膜,
其中,所述第二連接電極和所述第三連接電極中的至少一個(gè)連接電極通過(guò)所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜的接觸孔與所述第四連接電極連接,
其中,所述第三連接電極的第一端與從所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源電極或漏電極延伸的、構(gòu)成所述至少一個(gè)子像素中的電容器的一個(gè)電極的導(dǎo)電層接觸,
其中,與所述驅(qū)動(dòng)晶體管連接的所述第三連接電極布置在所述第一子像素電極與所述第二子像素電極之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置,其中,所述第三連接電極由與構(gòu)成所述第一子像素電極、所述第二子像素電極、所述第一連接電極和所述第二連接電極中的至少之一的材料相同的材料制成,或者所述第三連接電極布置在與所述第一子像素電極、所述第二子像素電極、所述第一連接電極和所述第二連接電極中的至少之一相同的層上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置,其中,所述至少一個(gè)子像素還包括:
數(shù)據(jù)線,所述數(shù)據(jù)線被布置成沿從所述第一子像素電極至所述第二子像素電極的方向與所述至少一個(gè)子像素的至少一部分交疊;以及
修復(fù)線,所述修復(fù)線沿與所述數(shù)據(jù)線并行的方向布置在所述至少一個(gè)子像素的一側(cè),
所述修復(fù)線的至少一部分被布置成與所述連接電極結(jié)構(gòu)的至少一部分交疊或者與所述連接電極結(jié)構(gòu)交叉,
其中,所述修復(fù)線沿與在所述數(shù)據(jù)線的方向上的所述至少一個(gè)子像素相鄰的相鄰子像素的方向延伸。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





