[發明專利]一種接收通道帶bypass功能的射頻前端模組

在審

• 申請號: 202011239405.2
• 申請日: 2020-11-09
• 公開（公告）號: CN112272045A
• 公開（公告）日: 2021-01-26
• 發明（設計）人: 黃國宏
• 申請（專利權）人: 黃國宏
• 主分類號: H04B1/44
• 分類號: H04B1/44
• 代理公司: 廣州凱東知識產權代理有限公司 44259
• 代理人: 何志芳

本發明公開了一種接收通道帶bypass功能的射頻前端模組，包括：邏輯控制電路、射頻開關電路、LNA輸入匹配電路、LNA輸出匹配電路、主通路以及bypass旁路電路，其中，邏輯控制電路用于為其他各電路提供控制信號；射頻開關電路用于切換接收/發送通道；LNA輸入匹配電路用于對輸入信號進行阻抗匹配；主通路用于正常工作時為模組提供信號通道；bypass旁路電路用于斷電或停機時為模組提供信號通道；LNA輸出匹配電路的輸入端分別連接主通道和bypass旁路電路的輸出端，用于為輸出信號進行阻抗匹配。本發明有效阻止了泄漏信號進入接收通道，大大提高了隔離度；同時還改善了高增益和Bypass模式下接收通路的輸出回波損耗。

技術領域

本發明涉及射頻技術領域，具體為一種接收通道帶bypass功能的射頻前端模組。

背景技術

射頻前端是指在通訊系統中靠近天線部分的設備，是天線和中頻(或基帶)電路之間的部分，在這一段信號里以射頻形式傳輸。射頻前端模組主要由射頻開關、低噪聲放大器(Low Noise Amplifier，簡稱LNA)和功率放大器(Power Amplifier，簡稱PA)構成。其中，射頻開關負責發送通道和接收通道的切換；功率放大器PA負責發射通道的射頻信號放大；低噪聲放大器LNA用于接收通道的小信號放大。常見的射頻開關工藝采用GaAs pHEMT工藝、CMOS SOI工藝等，其中GaAs pHEMT工藝器件屬于符合半導體工藝，其集成度很低，同時不兼容CMOS制程，SOI工藝雖然可以兼容CMOS制層，但成本相對較高。目前LNA大多采用GaAsHEMT/HBT工藝、SiGe HBT工藝、CMOS SOI工藝和普通Si-CMOS工藝，GaAs HEMT/HBT工藝成本較高且不易集成，Si-CMOS工藝成本低且容易集成化。而SiGe BiCMOS工藝不僅兼顧了電路中CMOS工藝的低成本、高集成度的優點以及SiGe HBT工藝的高效、高線性及高集成度等優點，最適合單一芯片實現小尺寸的射頻前端模組。

基于SiGe BiCMOS工藝射頻前端模組現有結構有三種工作模式，分別為高增益模式、Bypass模式和Tx(Transmit，發送)模式。

然而現有技術中，當其工作在Tx模式時，射頻開關要容納發射通道功率放大器放大的高頻信號，由于接收通道的隔離度很低，發射通道的強射頻信號會泄露到接收通道上，從而影響接收模組及系統的正常工作。

發明內容

本發明的目的在于提供一種接收通道帶bypass功能的射頻前端模組，旨在提高接收通道的隔離度。

本發明是這樣實現的：

一種接收通道帶bypass功能的射頻前端模組，其特征在于，包括：邏輯控制電路、射頻開關電路、LNA輸入匹配電路、LNA輸出匹配電路、主通路以及bypass旁路電路，其中，

所述邏輯控制電路用于為其他各電路提供控制信號；

所述射頻開關電路用于切換接收/發送通道；

所述LNA輸入匹配電路的輸入端連接所述射頻開關電路，用于對輸入信號進行阻抗匹配；

所述主通路的輸入端連接所述LNA輸入匹配電路的輸出端，用于正常工作時為模組提供信號通道；

所述bypass旁路電路的輸入端連接所述LNA輸入匹配電路，用于斷電或停機時為模組提供信號通道；

所述LNA輸出匹配電路的輸入端分別連接所述主通道和bypass旁路電路的輸出端，用于為輸出信號進行阻抗匹配；