[發(fā)明專利]一種陣列基板制程方法及顯示面板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011238474.1
• 申請(qǐng)日: 2020-11-09
• 公開（公告）號(hào): CN112420607B
• 公開（公告）日: 2022-09-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王若男
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L27/12;H01L29/786
• 代理公司: 深圳紫藤知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種陣列基板制程方法，其特征在于，包括：

提供一基板，所述基板包括相對(duì)設(shè)置的第一面和第二面；

在所述第一面設(shè)置遮光層，所述遮光層部分覆蓋所述第一面，其中，所述遮光層遠(yuǎn)離所述第一面的一側(cè)鍍有銅膜；

在第一溫度下，采用沉積的方法在所述遮光層遠(yuǎn)離所述第一面的一側(cè)設(shè)置第一緩沖層，所述第一緩沖層至少包覆所述遮光層，所述第一溫度為200℃至300℃；

在第二溫度下，采用沉積的方法在所述第一面和所述第一緩沖層遠(yuǎn)離所述遮光層的一側(cè)設(shè)置第二緩沖層，所述第二溫度為300℃以上；

在所述緩沖層遠(yuǎn)離所述遮光層的一側(cè)設(shè)置半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層部分覆蓋所述第二緩沖層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板制程方法，其特征在于，所述在所述遮光層遠(yuǎn)離所述第一面的一側(cè)設(shè)置保護(hù)層之前，還包括：

采用氨氣、氫氣或惰性氣體吹掃所述第一面和所述遮光層遠(yuǎn)離所述第一面的一側(cè)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板制程方法，其特征在于，在所述緩沖層遠(yuǎn)離所述遮光層的一側(cè)設(shè)置半導(dǎo)體層之后，還包括：

在所述半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離第二緩沖層的一側(cè)設(shè)置柵極絕緣層，所述柵極絕緣層部分覆蓋所述半導(dǎo)體層；

在所述柵極絕緣層遠(yuǎn)離半導(dǎo)體層的一側(cè)設(shè)置柵極層；

在所述第二緩沖層、所述半導(dǎo)體層和所述柵極層遠(yuǎn)離基板的一側(cè)設(shè)置層間絕緣層；

在所述層間絕緣層、所述第一緩沖層和所述第二緩沖層上設(shè)置第一通孔和第二通孔，所述第一通孔由所述層間絕緣層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)表面延伸至所述半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離所述第二緩沖層的一側(cè)表面，所述第二通孔由所述層間絕緣層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)表面穿過所述第一緩沖層和所述第二緩沖層延伸至所述遮光層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)表面；

在所述層間絕緣層上設(shè)置第一源漏層和第二源漏層，所述第一源漏層和所述第二源漏層均部分覆蓋所述層間絕緣層，所述第一源漏層和所述第二源漏層之間具有間隔；

其中，所述第一源漏層通過所述第一通孔與所述半導(dǎo)體層連接，所述第一源漏層通過所述第二通孔與所述遮光層連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板制程方法，其特征在于，所述第一緩沖層采用的材料為氮化硅衍生物或氧化硅衍生物，包覆所述遮光層的所述第一緩沖層厚度為至

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板制程方法，其特征在于，所述第一緩沖層包覆所述遮光層，并覆蓋所述第一面。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板制程方法，其特征在于，所述第一緩沖層的厚度為至

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板制程方法，其特征在于，所述遮光層的厚度為至所述遮光層采用的材料為金屬、金屬合金或上述材料的組合。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板制程方法，其特征在于，所述第二緩沖層采用的材料為氮化硅衍生物或氧化硅衍生物，所述第二緩沖層的厚度為至

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的陣列基板制程方法，其特征在于，在所述遮光層正投影區(qū)域設(shè)置的所述第二緩沖層厚度為第一厚度，在所述遮光層正投影區(qū)域以外設(shè)置的所述第二緩沖層厚度為第二厚度，所述第一厚度小于所述第二厚度。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括陣列基板，所述陣列基板采用權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的陣列基板制程方法制成。