[發(fā)明專利]QD-miniLED發(fā)光器件制作方法及QD-miniLED發(fā)光器件

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011237249.6
• 申請日: 2020-11-09
• 公開（公告）號: CN112420895B
• 公開（公告）日: 2022-01-28
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 段淼;李冬澤
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/50;H01L33/56;H01L27/15;H01L33/44
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 李新干

1.一種QD-miniLED發(fā)光器件制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

對多個第一miniLED單體的表面進(jìn)行超疏水化處理，得到多個第二miniLED單體；

將所述多個第二miniLED單體轉(zhuǎn)移到TFT陣列基板上，所述多個第二miniLED單體在所述TFT陣列基板上間隔分布；

在所述TFT陣列基板上的多個第二miniLED單體的間隙內(nèi)填充遮光材料層；

將所述TFT陣列基板與設(shè)置有像素化的量子點(diǎn)基板對組貼合，得到QD-miniLED發(fā)光器件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QD-miniLED發(fā)光器件制作方法，其特征在于，所述對多個第一miniLED單體的表面進(jìn)行超疏水化處理的步驟，包括：

對多個第一miniLED單體的表面進(jìn)行粗糙化處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的QD-miniLED發(fā)光器件制作方法，其特征在于，所述對多個第一miniLED單體的表面進(jìn)行粗糙化處理的步驟，包括：

在所述多個第一miniLED單體的表面制作一層具有微納結(jié)構(gòu)的涂層。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的QD-miniLED發(fā)光器件制作方法，其特征在于，所述在所述多個第一miniLED單體的表面制作一層具有微納結(jié)構(gòu)的涂層的步驟，包括：

采用化學(xué)氣相沉淀法在所述多個第一miniLED單體的表面沉積一層具有微納結(jié)構(gòu)的涂層。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的QD-miniLED發(fā)光器件制作方法，所述涂層為二氧化硅涂層或者氮化硅涂層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QD-miniLED發(fā)光器件制作方法，其特征在于，所述對多個第一miniLED單體的表面進(jìn)行超疏水化處理的步驟，包括：

對多個第一miniLED單體的表面進(jìn)行降低表面能處理。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的QD-miniLED發(fā)光器件制作方法，其特征在于，所述對多個第一miniLED單體的表面進(jìn)行降低表面能處理的步驟，包括：

在多個第一miniLED單體的表面涂布表面能低于第一預(yù)設(shè)值的涂層。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的QD-miniLED發(fā)光器件制作方法，其特征在于，所述在多個第一miniLED單體的表面涂布表面能低于預(yù)設(shè)值的涂層的步驟包括：

將氟化劑加入到透光度大于第二預(yù)設(shè)值的無機(jī)物溶液或者有機(jī)高分子溶液中進(jìn)行混合，得到混合后的氟化劑溶液；

將所述氟化劑溶液涂布到所述多個第一miniLED單體的表面，以在所述多個第一miniLED單體的表面形成表面能低于預(yù)設(shè)值的涂層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的QD-miniLED發(fā)光器件制作方法，其特征在于，所述遮光材料層的材料為黑膠或者黑色油墨。