[發明專利]磁控濺射鍍膜裝置

有效

• 申請號: 202011236269.1
• 申請日: 2020-11-09
• 公開（公告）號: CN112342516B
• 公開（公告）日: 2022-10-18
• 發明（設計）人: 唐蓮;楊恒;孫桂紅;祝海生;黃樂;黃國興
• 申請（專利權）人: 湘潭宏大真空技術股份有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/50
• 代理公司: 湖南喬熹知識產權代理事務所(普通合伙) 43262
• 代理人: 安曼

本發明公開一種磁控濺射鍍膜裝置，磁控濺射鍍膜裝置包括殼體、設置于所述殼體頂部的真空組件、設置于所述殼體外側壁的多個濺射陰極，所述殼體內部開設有用于容納承載有工件的承載架的鍍膜腔體，所述真空組件與所述鍍膜腔體連通以抽取所述鍍膜腔體的氣體，多個所述濺射陰極繞所述殼體的外周壁均勻間隔布置，以均勻地對位于所述鍍膜腔體的工件的外壁面鍍膜，所述鍍膜腔體的底壁和頂壁上分別設置有第一固定組件以及第二固定組件，所述第一固定組件和所述第二固定組件相對設置，所述第一固定組件和所述第二固定組件用于將流轉至所述鍍膜腔體內的所述承載架進行固定。本發明提供的磁控濺射鍍膜裝置解決了現有承載架懸空使用而導致鍍膜質量下降的問題。

技術領域

本發明涉及真空鍍膜領域，尤其涉及一種磁控濺射鍍膜裝置。

背景技術

真空鍍膜是目前較為前沿的鍍膜技術，而真空鍍膜中的磁控濺射鍍膜法采用通過通電陽極放出電子，并使電子在電場的加速作用下與真空腔內的氣體分子碰撞，從而使氣體分子電離，而電離的氣體分子又在電場的作用下轟擊陰極上的金屬粒子，使金屬粒子電離濺射，并使得電離出來的金屬離子沉積于靶材表面形成薄膜，其中為了使電子能夠更加高效的與氣體分子進行碰撞，從而提高氣體分子電離率，采用在陰極內部裝入磁鐵形成磁控陰極，因此電子在電場及磁場的共同作用下，將會在真空腔內形成螺旋式軌跡來增加電子與氣體分子的碰撞概率。而目前的真空鍍膜室中，承載架在使用時，一般將承載架直接懸掛于真空鍍膜室頂部即可。該結構的承載架安裝快捷，但承載架底部懸空不固定，而承載架一般較為大型，因此在鍍膜工藝中，承載架的旋轉容易引起承載架晃動，使承載架或工件與真空鍍膜室內的其它機構產生碰撞，影響真空鍍膜室的正常運作；承載架的晃動也容易引起工件表面鍍膜不均勻，影響工件鍍膜質量。

發明內容

本發明的主要目的是提供一種磁控濺射鍍膜裝置，旨在解決現有的承載架懸空使用而導致鍍膜質量下降的問題。

為實現上述目的，本發明提出的一種磁控濺射鍍膜裝置包括殼體、設置于所述殼體頂部的真空組件、設置于所述殼體外側壁的多個濺射陰極，所述殼體內部開設有用于容納承載有工件的承載架的鍍膜腔體，所述真空組件與所述鍍膜腔體連通以抽取所述鍍膜腔體的氣體，多個所述濺射陰極繞所述殼體的外周壁均勻間隔布置，以均勻地對位于所述鍍膜腔體的工件的外壁面鍍膜，所述鍍膜腔體的底壁和頂壁上分別設置有第一固定組件以及第二固定組件，所述第一固定組件和所述第二固定組件相對設置，所述第一固定組件和所述第二固定組件用于將流轉至所述鍍膜腔體內的所述承載架進行固定。

在一實施例中，所述磁控濺射鍍膜裝置還包括傳送機構，所述傳送機構位于所述殼體的底部并與所述鍍膜腔體連通，所述傳送機構用于將所述承載架轉運至所述鍍膜腔體內。

在一實施例中，所述傳送機構包括第一驅動件、主動輪、從動輪以及輥道，所述輥道沿所述承載架的流入方向均勻間隔布置在所述殼體底部，所述主動輪套裝在所述第一驅動件的輸出軸上，所述從動輪套裝在所述輥道的端部，所述輥道與所述第一驅動件的輸出軸垂直設置，所述主動輪和所述從動輪嚙合連接。

在一實施例中，所述第一固定組件包括第二驅動件、設置于所述輥道上方并與所述第二驅動件連接的第一旋轉盤以及設置在所述第一旋轉盤的軸心處的伸縮固定軸，所述承載架的軸心處開設有用于供所述伸縮定位軸插入的定位孔，所述伸縮定位軸能夠沿靠近或遠離所述承載架的方向移動，所述第二驅動件用于驅動所述第一旋轉盤饒所述第二驅動件的輸出軸的延伸方向旋轉。

在一實施例中，所述第一固定組件還包括伸縮電機，所述伸縮電機設置在所述殼體上并與所述第一旋轉盤連接。

在一實施例中，所述第二固定組件包括第三驅動件以及第二旋轉盤，所述第二旋轉盤能夠抵接在所述承載架的上壁面上，所述第三驅動件與所述第二旋轉盤連接以驅動所述第二旋轉盤繞所述第三驅動件的輸出軸的延伸方向旋轉。

在一實施例中，所述真空組件的數量為兩個，且在所述殼體上對稱布置。

在一實施例中，所述真空組件為分子泵。