[發明專利]一種泡沫鎳@鎳微-納米棒陣列電極的制備方法有效
| 申請號： | 202011235883.6 | 申請日： | 2020-11-09 |
| 公開（公告）號： | CN112133574B | 公開（公告）日： | 2021-11-19 |
| 發明（設計）人： | 徐國榮;陶林;詹擇煒;唐安平 | 申請（專利權）人： | 湖南科技大學 |
| 主分類號： | H01G11/86 | 分類號： | H01G11/86;H01G11/24;H01G11/26;H01G11/30;B82Y40/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 張家界市慧誠商標專利事務所 43209 | 代理人： | 高紅旺 |
| 地址： | 411103*** | 國省代碼： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 泡沫 鎳微 納米 陣列 電極 制備 方法 | ||
1.一種泡沫鎳@鎳微-納米棒陣列電極的制備方法，其特征在于包括以下步驟：
（1）配置草酸-草酸銨水溶液，其中草酸的摩爾濃度為0.1~1.0 mol/L1；草酸銨的摩爾濃度為0.1~0.8 mol/L；
（2）將泡沫鎳片蘸取上述步驟（1）得到的草酸-草酸銨水溶液，常壓下反應，在泡沫鎳片上生長一層草酸鎳微-納米棒陣列；
（3）將步驟（2）得到的泡沫鎳@草酸鎳微-納米棒陣列于惰性氣中熱處理，即得到泡沫鎳@鎳微-納米棒陣列電極；
步驟（2）中制備草酸鎳微-納米棒陣列的溫度為5~35℃、反應時間為6~48 h；蘸有草酸-草酸銨水溶液的泡沫鎳片在密封環境下反應，避免泡沫鎳片上的水分蒸發；
步驟（3）中，熱處理溫度為350~500 ℃，熱處理時間為0.5～2小時。
2.根據權利要求1所述的泡沫鎳@鎳微-納米棒陣列電極的制備方法，其特征在于：所述步驟 （1）的草酸-草酸銨水溶液中，銨源為草酸銨或氨水中的一種。
3.根據權利要求1所述的泡沫鎳@鎳微-納米棒陣列電極的制備方法，其特征在于：步驟（2）中所述的泡沫鎳片清洗烘干后使用，具體是將泡沫鎳片用1~2 mol /L硫酸超聲清洗，再用去離子水清洗干凈，然后氮氣下烘干。
4.根據權利要求1所述的泡沫鎳@鎳微-納米棒陣列電極的制備方法，其特征在于：步驟（2）得到的泡沫鎳@草酸鎳微-納米棒陣列用去離子水清洗干凈，然后烘干。
5.根據權利要求1所述的泡沫鎳@鎳微-納米棒陣列電極的制備方法，其特征在于：步驟（3）中，惰性氣氛為氬氣、氮氣中的一種。
6.一種如權利要求1~5任何一項制備方法制備的泡沫鎳@鎳微-納米棒陣列電極。
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