[發(fā)明專利]一種裸硅封裝MOS管

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011232322.0
• 申請(qǐng)日: 2020-11-06
• 公開（公告）號(hào): CN112420623A
• 公開（公告）日: 2021-02-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 涂振坤;苗義敬;王澤斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 普森美微電子技術(shù)（蘇州）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/04
• 分類號(hào): H01L23/04;H01L23/053;H01L23/16;H01L23/32
• 代理公司: 北京化育知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11833
• 代理人: 尹均利

本發(fā)明公開了一種裸硅封裝MOS管，包括底板、陶瓷座和MOS管本體，所述陶瓷座固定連接在底板上表面，所述陶瓷座上表面中間位置開設(shè)有圓弧槽，所述圓弧槽內(nèi)壁粘接有橡膠條，所述陶瓷座表面分別固定連接卡座和連接座，所述連接座頂端鉸鏈連接頂板，所述頂板上表面固定連接肋條，所述頂板下表面中間位置固定連接橡膠座。本發(fā)明通過(guò)頂板對(duì)MOS管本體進(jìn)行抗壓保護(hù)，防磨損和防撞擊性能好，肋條提高頂板的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，防止變形和斷裂，陶瓷座對(duì)MOS管本體支撐固定，具有防漏電保護(hù)效果，防止MOS管本體漏電傳遞至殼體表面，提高使用的安全性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及MOS管相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種裸硅封裝MOS管。

背景技術(shù)

金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(MOS)晶體管可分為N溝道與P溝道兩大類，P溝道硅MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管在N型硅襯底上有兩個(gè)P+區(qū)，分別叫做源極和漏極，兩極之間不通導(dǎo)，源極上加有足夠的正電壓(柵極接地)時(shí)，柵極下的N型硅表面呈現(xiàn)P型反型層，成為連接源極和漏極的溝道。改變柵壓可以改變溝道中的空穴密度，從而改變溝道的電阻。這種MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加?xùn)艍壕鸵汛嬖赑型反型層溝道，加上適當(dāng)?shù)钠珘海墒箿系赖碾娮柙龃蠡驕p小。這樣的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。

MOSFET共有三個(gè)腳，一般為G、D、S，通過(guò)G、S間加控制信號(hào)時(shí)可以改變D、S間的導(dǎo)通和截止。PMOS和NMOS在結(jié)構(gòu)上完全相像，所不同的是襯底和源漏的摻雜類型。簡(jiǎn)單地說(shuō)，NMOS是在P型硅的襯底上，通過(guò)選擇摻雜形成N型的摻雜區(qū)，作為NMOS的源漏區(qū)；PMOS是在N型硅的襯底上，通過(guò)選擇摻雜形成P型的摻雜區(qū)，作為PMOS的源漏區(qū)。兩塊源漏摻雜區(qū)之間的距離稱為溝道長(zhǎng)度L，而垂直于溝道長(zhǎng)度的有效源漏區(qū)尺寸稱為溝道寬度W。對(duì)于這種簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，器件源漏是完全對(duì)稱的，只有在應(yīng)用中根據(jù)源漏電流的流向才能最后確認(rèn)具體的源和漏。

但是，現(xiàn)有的裸硅封裝MOS管在使用的時(shí)候存在以下缺點(diǎn)：

1、裸硅封裝MOS管在相對(duì)殼體安裝的時(shí)候，不具備抗壓防撞保護(hù)，在組裝的時(shí)候，MOS管受到磨損或者撞擊，均會(huì)造成其功能的衰減，甚至造成報(bào)廢；

2、裸硅封裝MOS管與殼體之間直接安裝，存在漏電的可能性，降低使用效果。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種裸硅封裝MOS管，以解決上述背景技術(shù)中的裸硅封裝MOS管在相對(duì)殼體安裝的時(shí)候，不具備抗壓防撞保護(hù)，在組裝的時(shí)候，MOS管受到磨損或者撞擊，均會(huì)造成其功能的衰減，甚至造成報(bào)廢；裸硅封裝MOS管與殼體之間直接安裝，存在漏電的可能性，降低使用效果的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種裸硅封裝MOS管，包括底板、陶瓷座和MOS管本體，所述陶瓷座固定連接在底板上表面，所述陶瓷座上表面中間位置開設(shè)有圓弧槽，所述圓弧槽內(nèi)壁粘接有橡膠條，所述陶瓷座表面分別固定連接卡座和連接座，所述連接座頂端鉸鏈連接頂板，所述頂板上表面固定連接肋條，所述頂板下表面中間位置固定連接橡膠座，通過(guò)頂板對(duì)MOS管本體進(jìn)行抗壓保護(hù)，防磨損和防撞擊性能好，肋條提高頂板的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度，防止變形和斷裂，陶瓷座對(duì)MOS管本體支撐固定，具有防漏電保護(hù)效果，防止MOS管本體漏電傳遞至殼體表面，提高使用的安全性。

優(yōu)選的，所述頂板自由端下表面位置固定連接卡臺(tái)，所述卡臺(tái)外部套接有橡膠圈，MOS管本體底部插接在陶瓷座的圓弧槽內(nèi)部，相對(duì)連接座轉(zhuǎn)動(dòng)頂板，頂板下方的橡膠座壓合在MOS管本體上表面，方便快速安裝，頂板的卡臺(tái)插接在卡座內(nèi)部，實(shí)現(xiàn)了對(duì)MOS管本體的壓緊固定。

優(yōu)選的，所述陶瓷座正面位置開設(shè)有置物槽，所述置物槽內(nèi)部安裝夾座，陶瓷座對(duì)MOS管本體支撐固定，具有防漏電保護(hù)效果，防止MOS管本體漏電傳遞至殼體表面，提高使用的安全性，通過(guò)在置物槽內(nèi)部放置袋裝干燥劑，具有很好的吸濕防潮功能，夾座對(duì)袋裝干燥劑夾持固定，提高穩(wěn)定性。