[發(fā)明專利]一種單斜晶系晶型物及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011230950.5 | 申請日： | 2020-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN114438592B | 公開（公告）日： | 2022-11-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 于振海;劉曉磊;郭艷峰 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海科技大學 |
| 主分類號： | C30B29/10 | 分類號： | C30B29/10;C30B1/12;C30B1/02 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 沈攀攀;許亦琳 |
| 地址： | 201210 上*** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 單斜 晶系 晶型物 及其 制備 方法 | ||
1.一種單斜晶系晶型物，所述單斜晶系晶型物的分子式為MoP2；
所述單斜晶系晶型物包括如下晶胞參數(shù)α＝90°，β＝119.192±0.006°，γ＝90°，所述晶型空間群為C2/m，所述晶系屬于單斜晶系。
2.如權(quán)利要求1所述的單斜晶系晶型物，其特征在于，所述單斜晶系晶型物中，Mo處于八配位場中，每個Mo原子分別與8個P原子配位；
和/或，所述單斜晶系晶型物為帶有金屬光澤的黑色晶體。
3.如權(quán)利要求1～2任一項權(quán)利要求所述的單斜晶系晶型物的制備方法，所述方法包括如下步驟：
1)將單質(zhì)鉬與紅磷進行壓片后包裹六方氮化硼制備獲得包裹體；單質(zhì)鉬與紅磷的摩爾比為1：2.5～3.5；
2)將步驟1)所述包裹體在900～1100℃，4～6GPa壓力下反應制備獲得單斜晶系晶型物。
4.如權(quán)利要求3所述的單斜晶系晶型物的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中，將單質(zhì)鉬與紅磷先進行研磨，然后壓片后形成圓柱形。
5.如權(quán)利要求4所述的單斜晶系晶型物的制備方法，其特征在于，所述圓柱形的直徑為3.5～5.0毫米，高度為3.2～6.0毫米。
6.如權(quán)利要求3所述的單斜晶系晶型物的制備方法，其特征在于，所述步驟1)中，所述六方氮化硼選自六方氮化硼片或六方氮化硼管；六方氮化硼片包裹壓片的厚度為0.5～0.8毫米；所述六方氮化硼管的管壁厚度為0.3～0.5毫米。
7.如權(quán)利要求3所述的單斜晶系晶型物的制備方法，其特征在于，所述步驟2)中，反應結(jié)束后，以每小時50～100℃的速率降溫，將樣品的溫度緩慢降溫至800～900℃；然后再淬火至室溫，最后緩慢卸壓至常壓。
8.如權(quán)利要求3所述的單斜晶系晶型物的制備方法，其特征在于，所述步驟2)是在大腔體壓機進行反應。
9.如權(quán)利要求3所述的單斜晶系晶型物的制備方法，其特征在于，所述步驟2)在反應前，先進行壓力和溫度的標定；所述壓力采用金屬Bi的電阻-壓力曲線標定；所述溫度通過通過二氧化硅的晶體結(jié)構(gòu)相變標定。
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