[發(fā)明專利]錫基大電阻薄膜鍍膜液、其制備方法與錫基大電阻薄膜的制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011230869.7 | 申請日: | 2020-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN114437391A | 公開(公告)日: | 2022-05-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃永香 | 申請(專利權(quán))人: | 湖南七點(diǎn)鐘文化科技有限公司 |
| 主分類號: | C08J7/06 | 分類號: | C08J7/06;C09D1/00;C09D7/65;C09D7/43;C23C26/00;G06F3/041;G06F3/044;C03C17/10 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 錫基大 電阻 薄膜 鍍膜 制備 方法 | ||
1.一種錫基大電阻薄膜鍍膜液,由錫基合金、消光溶液、分散劑、交聯(lián)劑、石墨烯和乙醇制備得到。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錫基大電阻薄膜鍍膜液,其特征在于,所述錫基合金的含量為6~10重量份,所述消光溶液的含量為40~50重量份,所述分散劑的含量為5~10重量份,所述交聯(lián)劑的含量為4~6重量份,所述石墨烯的含量為2~5重量份,所述乙醇的含量為19~43重量份;所述消光溶液中消光粉與水的質(zhì)量比為(10~30):(70~90),所述水為超純水,電導(dǎo)率>8M兆歐。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的錫基大電阻薄膜鍍膜液,其特征在于,所述錫基合金包括60~99wt%的錫和1~40wt%的其他金屬,所述其他金屬選自鋁、鋅、銻和鈮中的一種或多種;所述分散劑選自乙烯-醋酸乙烯共聚物和聚乙烯蠟中的一種或兩種;所述交聯(lián)劑選自聚丙烯酰胺;所述石墨烯的孔徑為10~100nm,孔隙率為85~95%,比表面積為2300~3000m2/g。
4.權(quán)利要求1所述的錫基大電阻薄膜鍍膜液的制備方法,包括以下步驟:
將消光溶液、乙醇、石墨烯和分散劑混合后再加入錫基合金,然后加入交聯(lián)劑,攪拌,得到錫基大電阻薄膜鍍膜液。
5.一種錫基大電阻薄膜的制備方法,包括以下步驟:
A)將基板進(jìn)行清洗;
B)將步驟A)得到的基板先預(yù)熱再采用鍍膜液進(jìn)行印刷;所述鍍膜液為權(quán)利要求1~3任一項(xiàng)所述的錫基大電阻薄膜鍍膜液或權(quán)利要求4所述的制備方法所制備的錫基大電阻薄膜鍍膜液;所述印刷的速度為5~7m/min,所述印刷采用300~350網(wǎng)目/inch的絲網(wǎng);
C)將步驟B)得到的薄膜光照后干燥,得到錫基大電阻薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述預(yù)熱采用遠(yuǎn)紅外線進(jìn)行15~90s的預(yù)熱。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述干燥的過程具體為:
將光照后的薄膜先自然風(fēng)干15~60min再置于真空干燥箱中,以5℃/min升至90~120℃保持1~2h,然后將溫度升至200~300℃保持30~60min干燥后自然冷卻至室溫;所述真空干燥箱的真空度為0.02~0.1Pa,保護(hù)氣體為10~30sccm的氧氣和/或100~200sccm的氮?dú)狻?/p>
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述錫基大電阻薄膜鍍膜液的粘度為25~30CP;所述印刷后的涂層的厚度為10~30μm,所述干燥后的薄膜的厚度為10~1000nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述錫基大電阻薄膜為SnOx:Al薄膜、SnOx:ZnO薄膜、SnOx:Sb2Ox薄膜、SnOx:Nb2Ox薄膜、SnNx:Al薄膜、SnNx:ZnO薄膜、SnNx:Sb2Nx薄膜或SnNx:Nb2Nx薄膜,x=1、2、3、或4。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法,其特征在于,所述光照的光源為金屬鹵素?zé)簦丈渚嚯x為5~15cm,傳送速度為3~10m/min。
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