[發(fā)明專利]一種降低有機-無機雜化鈣鈦礦薄膜離子遷移的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011230762.2 | 申請日： | 2020-11-06 |
| 公開（公告）號： | CN112382725B | 公開（公告）日： | 2023-03-24 |
| 發(fā)明（設計）人： | 逄淑平;崔光磊;王嘯;范穎平;邵之鵬 | 申請（專利權）人： | 中國科學院青島生物能源與過程研究所 |
| 主分類號： | H10K71/12 | 分類號： | H10K71/12;H10K71/40;H10K30/10;H10K30/50 |
| 代理公司： | 沈陽科苑專利商標代理有限公司 21002 | 代理人： | 李穎 |
| 地址： | 266101 山*** | 國省代碼： | 山東;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 降低 有機 無機 雜化鈣鈦礦 薄膜 離子 遷移 方法 | ||
1.一種降低有機-無機雜化鈣鈦礦薄膜離子遷移的方法，其特征在于：在制備有機-無機雜化鈣鈦礦薄膜過程中于前驅(qū)體中加入添加劑；或，在形成的有機-無機雜化鈣鈦礦薄膜后于其表面形成添加劑薄膜；其中，添加劑為硼酸；
在鈣鈦礦前驅(qū)體溶液中加入添加劑充分溶解后再進行薄膜的制備與熱處理，提高鈣鈦礦薄膜中碘離子的遷移勢壘；
或，在有機-無機雜化鈣鈦礦薄膜的上表面制備含有硼酸及其衍生物的小分子或者高分子薄膜，進而通過后續(xù)熱處理的方式，使含有硼酸及其衍生物的小分子或者高分子擴散到鈣鈦礦薄膜晶界中，提高鈣鈦礦薄膜中碘離子的遷移勢壘；
上述兩個熱處理溫度均為80-150 oC，熱處理后獲得硼酸摻雜鈣鈦礦薄膜。
2.按權利要求1所述的降低有機-無機雜化鈣鈦礦薄膜離子遷移的方法，其特征在于：所述添加劑與鈣鈦礦薄膜中鈣鈦礦（ABX3）的摩爾比為0.01到10%。
3.按權利要求1所述的降低有機-無機雜化鈣鈦礦薄膜離子遷移的方法，其特征在于：所述在形成的有機-無機雜化鈣鈦礦薄膜后于其表面形成添加劑薄膜是將添加劑通過溶液法或物理蒸發(fā)法在鈣鈦礦薄膜表面制備薄膜；其中，溶劑是乙醇、異丙醇、三氟乙醇的一種或幾種的混合。
4.按權利要求1所述的降低有機-無機雜化鈣鈦礦薄膜離子遷移的方法，其特征在于：所述有機-無機雜化鈣鈦礦薄膜的有機-無機雜化鈣鈦礦結構式為ABX3，A為陽離子含有甲胺CH3NH3（MA）離子和甲脒NH2-CH=NH2(FA)離子的一種或兩種；B為含有Pb金屬離子和Sn金屬離子的一種或兩種；X為I。
5.一種權利要求1所述方法制備所得有機-無機雜化鈣鈦礦薄膜，其特征在于：按照權利要求1所述方法制備摻雜添加的有機-無機雜化鈣鈦礦薄膜。
6.一種權利要求5所述薄膜的應用，其特征在于：所述摻雜添加劑的有機-無機雜化鈣鈦礦薄膜在太陽能電池，發(fā)光器件或探測器件中的應用降低有機-無機雜化鈣鈦礦薄膜離子遷移。
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