[發(fā)明專利]一種IGBT芯片排布結(jié)構(gòu)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202011230498.2
• 申請(qǐng)日: 2020-11-06
• 公開（公告）號(hào): CN112635407A
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬克·拉斐爾·施奈爾;斯萬·馬蒂亞斯;梁杰;張強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 賽晶亞太半導(dǎo)體科技(浙江)有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/14
• 分類號(hào): H01L23/14;H01L23/367;H01L23/52;H01L29/739;H01L29/861
• 代理公司: 北京中政聯(lián)科專利代理事務(wù)所(普通合伙) 11489
• 代理人: 燕宏偉;章洪

1.一種IGBT芯片排布結(jié)構(gòu)，用于設(shè)置在陶瓷覆銅基板上，所述陶瓷覆銅基板包括散熱片，其特征在于：所述IGBT芯片排布結(jié)構(gòu)包括焊接于所述陶瓷覆銅基板上呈直線排布的多個(gè)IGBT芯片和多個(gè)二極管芯片，每個(gè)所述二極管芯片通過鍵合鋁線與對(duì)應(yīng)所述IGBT芯片鍵合連接且為一組，每組的所述IGBT芯片的柵極通過柵極鍵合鋁線鍵合連接于所述陶瓷覆銅基板的銅條上且每組的所述IGBT芯片遠(yuǎn)離所述二極管芯片一端通過鍵合鋁線鍵合連接于所述陶瓷覆銅基板的金屬鍍覆層上。

2.如權(quán)利要求1所述的IGBT芯片排布結(jié)構(gòu)，其特征在于：多個(gè)所述IGBT芯片和多個(gè)所述二極管芯片均為間隔設(shè)置。