[發明專利]一種基于微流通道的太赫茲超材料液相折射率傳感器

在審

• 申請號: 202011230101.X
• 申請日: 2020-11-06
• 公開（公告）號: CN112378882A
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 張瑞;張榮臻;王志斌;李孟委;李克武
• 申請（專利權）人: 中北大學南通智能光機電研究院
• 主分類號: G01N21/3586
• 分類號: G01N21/3586;G01N21/41
• 代理公司: 太原榮信德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 14119
• 代理人: 楊凱;連慧敏

1.一種基于微流通道的太赫茲超材料液相折射率傳感器，其特征在于：包括基底層(1)、金屬薄膜層(2)、介質層(3)、混合結構層(4)、頂層薄膜層(5)，所述基底層(1)的上設置有金屬薄膜層(2)，所述金屬薄膜層(2)上設置有介質層(3)，所述介質層(3)上設置有混合結構層(4)，所述混合結構層(4)上設置有頂層薄膜層(5)。

2.根據權利要求1所述的一種基于微流通道的太赫茲超材料液相折射率傳感器，其特征在于：所述基底層(1)的材料采用硅，所述金屬薄膜層(2)的材料采用銅，所述金屬薄膜層(2)通過磁控濺射鍍膜工藝將致密的金屬薄膜沉積在基底層(1)的上表面。

3.根據權利要求1所述的一種基于微流通道的太赫茲超材料液相折射率傳感器，其特征在于：所述介質層(3)的材料采用FR-4環氧玻璃板，所述介質層(3)通過RTM閉模低壓成型的方式構建在金屬薄膜層(2)的上表面。

4.根據權利要求1所述的一種基于微流通道的太赫茲超材料液相折射率傳感器，其特征在于：所述混合結構層(4)包括微流通道層(401)、諧振金屬陣列層(402)，所述微流通道層(401)設置在介質層(3)與頂層薄膜層(5)之間，所述諧振金屬陣列層(402)設置在介質層(3)的上表面。

5.根據權利要求4所述的一種基于微流通道的太赫茲超材料液相折射率傳感器，其特征在于：所述諧振金屬陣列層(402)上設置有大十字鏤空結構(4021)、中十字鏤空結構(4022)、小十字鏤空結構(4023)，所述大十字鏤空結構(4021)、中十字鏤空結構(4022)、小十字鏤空結構(4023)均通過磁控濺射技術與電子束光刻技術設置在諧振金屬陣列層(402)上，所述大十字鏤空結構(4021)將諧振金屬陣列層(402)分成四個象限，所述大十字鏤空結構(4021)的四個象限內分別設有中十字鏤空結構(4022)，所述中十字鏤空結構(4022)分別將大十字鏤空結構(4021)的四個象限分成四個部分，所述中十字鏤空結構(4022)的四個部分內分別設有小十字鏤空結構(4023)。

6.根據權利要求1所述的一種基于微流通道的太赫茲超材料液相折射率傳感器，其特征在于：所述頂層薄膜層(5)的材料采用聚酰亞胺，所述聚酰亞胺采用二步法制備，所述頂層薄膜層(5)通過流延拉伸的方式制成。