[發明專利]一種低硅孕育劑及其制備方法在審
| 申請號: | 202011230034.1 | 申請日: | 2020-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN112439881A | 公開(公告)日: | 2021-03-05 |
| 發明(設計)人: | 郭進京;鄒悟會;劉永鋒 | 申請(專利權)人: | 中原內配集團股份有限公司 |
| 主分類號: | B22D1/00 | 分類號: | B22D1/00;C21C1/08;C21C7/00;C22C28/00;C22C33/08;C22C38/02;C22C38/06 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 李偉 |
| 地址: | 474750 河南省焦*** | 國省代碼: | 河南;41 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 孕育 及其 制備 方法 | ||
本發明提供了一種低硅孕育劑,包括以下原料:生鐵、硅鐵、金屬;所述生鐵和所述硅鐵的含硅量為30~60wt%,所述金屬選自鈣、鋁、鋇、鍶和鋯中的一種或多種,所述金屬的含量為0.2~12wt%,余量為鐵。本發明將孕育劑的含硅量控制在30~60wt%且通過引入其他微量金屬元素,用作鐵水孕育處理的孕育劑,孕育效果與傳統孕育劑相當,由于硅低,原鐵水中硅就可以適當提高,意味著可以大量使用回爐料和鐵屑。
技術領域
本發明涉及鑄造鑄鐵技術領域,尤其涉及一種低硅孕育劑及其制備方法。
背景技術
目前,世界經濟競爭日趨激烈,鑄造廠降成本的壓力越來越大,一方面鑄造原材料中優質生鐵和廢鋼價格日益上漲,而為了降成本使用劣質原材料得不償失,另一方面鑄造廠自身產生的回爐料和鐵屑成分已經達到鑄件要求,孕育劑中硅含量較高約70%左右,孕育后容易造成硅超標的現象,為了保證成分合格,因此回爐料和鐵屑用量受到限制,成本不易降低。
因此,在鐵水含硅量較高的情況下無法大量使用回爐料和鐵屑,無法實現回爐料和鐵屑的再利用,也無法降低成本。在此基礎上,亟需提供一種低硅孕育劑,以增加回爐料和鐵屑的使用量。
發明內容
本發明解決的技術問題在于提供一種低硅孕育劑,本申請提供的低硅孕育劑具有硅含量低、熔點低更易熔化的特點,更適用于原鐵水硅較高、鐵水溫度較低的工況。
有鑒于此,本申請提供了一種低硅孕育劑,包括以下原料:生鐵、硅鐵、金屬;所述生鐵和所述硅鐵的含硅量為30~60wt%,所述金屬選自鈣、鋁、鋇、鍶和鋯中的一種或多種,所述金屬的含量為0.2~12wt%,余量為鐵。
優選的,所述低硅孕育劑的粒度為0.1~1.0mm。
優選的,所述金屬選自鈣、鋁、鋇、鍶和鋯中的兩種或五種。
優選的,所述低硅孕育劑的成分具體為:Si 30~60wt%,Ca 0.5~2wt%、Al 0.5~2.0wt%、Ba 0.5~3.0wt%、Fe余量。
優選的,所述低硅孕育劑的成分具體為:Si 30~60wt%,Ca 0.5~2wt%、Al 0.5~2.0wt%、Sr 0.5~3.0wt%、Fe余量。
優選的,所述低硅孕育劑的成分具體為:Si 30~60wt%,Al 0.5~2.0wt%、Sr0.5~3.0wt%、Zr 0.5~3.0wt%、Fe余量。
本申請還提供了所述的低硅孕育劑的制備方法,包括以下步驟:
將生鐵和硅鐵熔化,得到熔液,在所述熔液中加入鈣、鋁、鋇、鍶和鋯中的一種或多種進行熔煉,再冷卻凝固,破碎后得到低硅孕育劑。
優選的,所述低硅孕育劑的粒度為0.1~1.0mm。
本申請提供了一種低硅孕育劑,其包括以下原料:生鐵、硅鐵、金屬;所述生鐵和所述硅鐵的含硅量為30~60wt%,所述金屬選自鈣、鋁、鋇、鍶和鋯中的一種或多種,所述金屬的含量為0.2~12wt%,余量為鐵。本申請將生鐵和硅鐵中的硅含量控制在30~60%,并加入鈣、鋁、鋇、鍶和鋯中的一種或多種,上述金屬元素會與氮、氧反應,形成高熔點的化合物,成為石墨結晶的核心,且在鐵液中可形成局部的富硅微區,有利于石墨的析出,因此,本申請提供的孕育劑在降低硅含量的基礎上保證了孕育效果,且可增加回爐料和鐵屑的使用量,降低成本。
附圖說明
圖1為本發明實施例1制備的孕育劑在孕育量0.2%,1429℃,孕育后19s后的液面狀態以及對應的石墨形貌;
圖2為傳統孕育劑在孕育量0.2%,1419℃,孕育后21s后的液面狀態以及對應的石墨形貌;
圖3為本實施例1制備的孕育劑在孕育量0.4%,1418℃,孕育后22s后的液面狀態以及對應的石墨形貌;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中原內配集團股份有限公司,未經中原內配集團股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011230034.1/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種陶瓷封裝基座及其制備方法
- 下一篇:一種深部鈾礦二維氡氣差量探測方法





