[發(fā)明專利]一種應用于逐次逼近型模數(shù)轉換器的電源欠沖補償電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011229474.5
• 申請日: 2020-11-06
• 公開（公告）號: CN112290950A
• 公開（公告）日: 2021-01-29
• 發(fā)明（設計）人: 趙巖;陳超;楊軍
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H03M1/38
• 分類號: H03M1/38
• 代理公司: 南京瑞弘專利商標事務所(普通合伙) 32249
• 代理人: 沈廉

1.一種應用于逐次逼近型模數(shù)轉換器的電源欠沖補償電路，其特征在于，該電源欠沖補償電路主要包括電源電壓欠壓毛刺補償電路、數(shù)模轉化器電容陣列、模數(shù)轉換器數(shù)字控制邏輯電路、線性穩(wěn)壓器(LDO)；其中，模數(shù)轉換器數(shù)字控制邏輯電路的輸出端接電源電壓欠壓毛刺補償電路兩輸入或非門的輸入端，兩輸入或非門的輸出端接啟動脈沖產(chǎn)生模塊(GLITCH)的輸入端，啟動脈沖產(chǎn)生模塊(GLITCH)的輸出端接P型金屬氧化物晶體管的柵極；線性穩(wěn)壓器(LDO)輸出穩(wěn)定的電源電壓供給其他電路模塊；數(shù)模轉化器電容陣列接在線性穩(wěn)壓器(LDO)輸出的穩(wěn)定電源VDD與地之間。

2.根據(jù)權利要求1所述的應用于逐次逼近型模數(shù)轉換器的電源欠沖補償電路，其特征在于，所述電源電壓欠壓毛刺補償電路中，P型金屬氧化物晶體管包括第一P型金屬氧化物晶體管(M1)、第二P型金屬氧化物晶體管(M2)、第三P型金屬氧化物晶體管(M3)、第四P型金屬氧化物晶體管(M4)、第五P型金屬氧化物晶體管(M5)；兩輸入或非門包括第一兩輸入或非門(N1)、第二兩輸入或非門(N2)、第三兩輸入或非門(N3)、第四兩輸入或非門(N4)、第五兩輸入或非門(N5)；啟動脈沖產(chǎn)生模塊包括第一啟動脈沖產(chǎn)生模塊(G1)、第二啟動脈沖產(chǎn)生模塊(G2)、第三啟動脈沖產(chǎn)生模塊(G3)、第四啟動脈沖產(chǎn)生模塊(G4)以及第五啟動脈沖產(chǎn)生模塊(G5)。

3.根據(jù)權利要求1所述的應用于逐次逼近型模數(shù)轉換器的電源欠沖補償電路，其特征在于，所述第一兩輸入或非門(N1)的兩個輸入端接模數(shù)轉換器數(shù)字控制邏輯最高位輸出SWN9與SWP9，第一兩輸入或非門(N1)的輸出接第一啟動脈沖產(chǎn)生模塊(G1)的輸入端，第一啟動脈沖產(chǎn)生模塊(G1)的輸出端接第一P型金屬氧化物晶體管(M1)的柵極，第一P型金屬氧化物晶體管(M1)的源極接線性穩(wěn)壓器的電源，第一P型金屬氧化物晶體管(M1)的漏極接線性穩(wěn)壓器的輸出端。

4.根據(jù)權利要求1所述的應用于逐次逼近型模數(shù)轉換器的電源欠沖補償電路，其特征在于，第二兩輸入或非門(N2)的兩個輸入端接模數(shù)轉換器數(shù)字控制邏輯次高位輸出SWN8與SWP8，第二兩輸入或非門(N2)的輸出端接第二啟動脈沖產(chǎn)生模塊(G2)的輸入端，第二啟動脈沖產(chǎn)生模塊(G2)的輸出端接第二P型金屬氧化物晶體管(M2)的柵極，第二P型金屬氧化物晶體管(M2)的源極接線性穩(wěn)壓器的電源，第二P型金屬氧化物晶體管(M2)的漏極接線性穩(wěn)壓器的輸出端。

5.根據(jù)權利要求1所述的應用于逐次逼近型模數(shù)轉換器的電源欠沖補償電路，其特征在于，第三兩輸入或非門(N3)的兩個輸入端接模數(shù)轉換器數(shù)字控制邏輯第三高位輸出SWN7與SWP7，第三兩輸入或非門(N3)的輸出接第三啟動脈沖產(chǎn)生模塊(G3)的輸入端，第三啟動脈沖產(chǎn)生模塊(G3)的輸出端接第三P型金屬氧化物晶體管(M3)的柵極，第三P 型金屬氧化物晶體管(M3)的源極接線性穩(wěn)壓器的電源，第三P型金屬氧化物晶體管(M3)的漏極接線性穩(wěn)壓器的輸出端。

6.根據(jù)權利要求1所述的應用于逐次逼近型模數(shù)轉換器的電源欠沖補償電路，其特征在于，第四兩輸入或非門(N4)的兩個輸入端接模數(shù)轉換器數(shù)字控制邏輯第四高位輸出SWN6與SWP6，第四兩輸入或非門(N4)的輸出端接第四啟動脈沖產(chǎn)生模塊(G4)的輸入端，第四啟動脈沖產(chǎn)生模塊(G4)的輸出端接第四P型金屬氧化物晶體管(M4)的柵極，第四P型金屬氧化物晶體管(M4)的源極接線性穩(wěn)壓器的電源，第四P型金屬氧化物晶體管(M4)的漏極接線性穩(wěn)壓器的輸出端。

7.根據(jù)權利要求1所述的應用于逐次逼近型模數(shù)轉換器的電源欠沖補償電路，其特征在于，第五兩輸入或非門(N5)的兩個輸入接模數(shù)轉換器數(shù)字控制邏輯第五高位輸出SWN5與SWP5，第五兩輸入或非門(N5)的輸出接第五啟動脈沖產(chǎn)生模塊(G5)的輸入端，第五啟動脈沖產(chǎn)生模塊(G5)的輸出端接第五P型金屬氧化物晶體管(M5)的柵極，第五P型金屬氧化物晶體管(M5)的源極接線性穩(wěn)壓器的電源，第五P型金屬氧化物晶體管(M5)的漏極接線性穩(wěn)壓器的輸出端。

8.根據(jù)權利要求1所述的應用于逐次逼近型模數(shù)轉換器的電源欠沖補償電路，其特征在于，所述啟動脈沖產(chǎn)生模塊(GLITCH)為電源欠沖補償電路中核心模塊，啟動脈沖產(chǎn)生模塊(GLITCH)包括第一P型金屬氧化物晶體管(PM1)、第二P型金屬氧化物晶體管(PM2)、第三P型金屬氧化物晶體管(PM3)、第四P型金屬氧化物晶體管(PM4)、第五P型金屬氧化物晶體管(PM5)、第六P型金屬氧化物晶體管(PM6)、第一N型金屬氧化物晶體管(NM1)、第二N型金屬氧化物晶體管(NM2)、第三N型金屬氧化物晶體管(NM3)、第四N型金屬氧化物晶體管(NM4)、第五N型金屬氧化物晶體管(NM5)以及第六N型金屬氧化物晶體管(NM6)；

所述第一P型金屬氧化物晶體管(PM1)的源極接電源電壓，第一P型金屬氧化物晶體管(PM1)的柵極接第一N型金屬氧化物晶體管(NM1)的柵極并且同時接入所述啟動脈沖產(chǎn)生模塊GLITCH輸入電壓，第一P型金屬氧化物晶體管(PM1)的漏極接第一N型金屬氧化物晶體管(NM1)的漏極，第一N型金屬氧化物晶體管(NM1)的源極接地；

第二P型金屬氧化物晶體管(PM2)的源極接電源電壓，第二P型金屬氧化物晶體管(PM2)的柵極接第二N型金屬氧化物晶體管(NM2)的柵極并且同時接入第一P型金屬氧化物晶體管(PM1)與第一N型金屬氧化物晶體管(NM1)的漏極，第二P型金屬氧化物晶體管(PM2)的漏極接第二N型金屬氧化物晶體管(NM2)的漏極，第二N型金屬氧化物晶體管(NM2)的源極接地；

第三P型金屬氧化物晶體管(PM3)的源極接電源電壓，第三P型金屬氧化物晶體管(PM3)的柵極接第三N型金屬氧化物晶體管(NM3)的柵極并且同時接入第二P型金屬氧化物晶體管(PM2)與第二N型金屬氧化物晶體管(NM2)的漏極，第三P型金屬氧化物晶體管(PM3)的漏極接第三N型金屬氧化物晶體管(NM3)的漏極，第三N型金屬氧化物晶體管(NM3)的源極接地；

第四P型金屬氧化物晶體管(PM4)的源極接電源電壓，第四P型金屬氧化物晶體管(PM4)的柵極接第四N型金屬氧化物晶體管(NM4)的柵極并且同時接入所述啟動脈沖產(chǎn)生模塊(GLITCH)輸入電壓，第四P型金屬氧化物晶體管(PM4)的漏極接第五P型金屬氧化物晶體管(PM5)的源極；

第五P型金屬氧化物晶體管(PM5)的柵極接第五N型金屬氧化物晶體管(NM5)的柵極并且同時接入第三P型金屬氧化物晶體管(PM3)與第三N型金屬氧化物晶體管(NM3)的漏極，第五N型金屬氧化物晶體管(NM5)的漏極同時連接第四N型金屬氧化物晶體管(NM4)和第五N型金屬氧化物晶體管(NM5)的漏極，第四N型金屬氧化物晶體管(NM4)和第五N型金屬氧化物晶體管(NM5)的源極接地；

第六P型金屬氧化物晶體管(PM6)的源極接電源電壓，第六P型金屬氧化物晶體管(PM6)的柵極接第六N型金屬氧化物晶體管(NM6)的柵極并且同時接入第五P型金屬氧化物晶體管(PM5)、第四N型金屬氧化物晶體管(NM4)和第五N型金屬氧化物晶體管(NM5)的漏極，第六P型金屬氧化物晶體管(PM6)的漏極接第六N型金屬氧化物晶體管(NM6)的漏極并同時作為所述啟動脈沖產(chǎn)生模塊(GLITCH)的輸出，第六N型金屬氧化物晶體管(NM6)的源極接地。