[發明專利]一種陶瓷管及其制備方法有效
| 申請號: | 202011229328.2 | 申請日: | 2020-11-06 |
| 公開(公告)號: | CN112165758B | 公開(公告)日: | 2023-05-09 |
| 發明(設計)人: | 王毅;李奇;徐新國 | 申請(專利權)人: | 河南先途等離子體科技有限公司 |
| 主分類號: | H05H1/24 | 分類號: | H05H1/24;B28B11/00;B28B11/04 |
| 代理公司: | 鄭州中鼎萬策專利代理事務所(普通合伙) 41179 | 代理人: | 黃照倩 |
| 地址: | 450000 河南省鄭州市河南自貿試驗區鄭州片區*** | 國省代碼: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 陶瓷 及其 制備 方法 | ||
1.一種陶瓷管,其特征在于,所述陶瓷管為中空結構,所述陶瓷管沿周向成型有多個沿其長度方向延伸的冷卻孔,所述陶瓷管的首端連通外部環境、尾端封堵密閉,所述冷卻孔靠近所述陶瓷管末端的一端與所述陶瓷管的中空部分連通,所述陶瓷管周向埋設有沿所述陶瓷管長度方向延伸的第一金屬導體和至少一根第二金屬導體,各所述第二金屬導體通過同一根金屬導線與所述第一金屬導體電連接,所述第一金屬導體和所述第二金屬導體的末端與所述陶瓷管的末端間距預設距離,所述陶瓷管開設有接線槽,所述第一金屬導體與所述接線槽處導線電連接,所述陶瓷管外涂覆有半導體釉層,所述第二金屬導體通過導電泥與所述半導體釉層電連接,所述半導體釉層外涂覆有絕緣釉層,所述陶瓷管的外側延其延伸方向開設有第一槽和第二槽,所述第一金屬導體放置于第一槽內,第一槽內設置有絕緣泥,絕緣泥將第一金屬導體密封于第一槽內;所述第二金屬導體放置于第二槽內,第二槽內設置有導電泥,導電泥將第二金屬導體密封于第二槽內;所述陶瓷管外側延其周向開設有連接溝,所述金屬導線設置于連接溝內,連接溝內設置有導電泥,導電泥將金屬導線密封于連接溝內。
2.根據權利要求1所述的陶瓷管,其特征在于,所述冷卻孔沿所述陶瓷管的周向均勻分布,所述第一金屬導體和所述第二金屬導體分別沿相鄰兩個所述冷卻孔的間隙設置。
3.根據權利要求1或2所述的陶瓷管,其特征在于,所述第一金屬導體距所述陶瓷管表面的距離為3mm,所述第二金屬導體距所述陶瓷管表面的距離為1mm至2mm。
4.一種陶瓷管的制備方法,其特征在于,所述陶瓷管為上述權利要求1至3中任一項所述的陶瓷管,其制備方法包括以下步驟:
預制陶瓷管毛坯泥段:使用陶瓷練泥機制作陶瓷管毛坯泥段并陰干,陶瓷管毛坯泥段為中空結構,且周向成型有多個沿陶瓷管毛坯泥段的長度方向延伸的冷卻孔;
連通冷卻孔、封盲孔成型:于冷卻孔的末端挖縫,使冷卻孔與陶瓷管毛坯泥段的中空部分連通,并分別用泥巴封堵冷卻孔的末端和陶瓷管毛坯泥段的中空部分的末端,使冷卻孔和陶瓷管毛坯泥段的中空部分成為盲孔;
埋封第一金屬導體:于陶瓷管毛坯泥段的外側沿其延伸方向開設第一槽,在第一槽內放入第一金屬導體,第一金屬導體的末端距陶瓷管毛坯泥段的末端預設距離,用絕緣泥將第一金屬導體密封于第一槽內,并預留接線槽;
埋封第二金屬導體:于陶瓷管毛坯泥段的外側沿其延伸方向至少開設一個第二槽,在第二槽內放入第二金屬導體,第二金屬導體的末端距陶瓷管毛坯泥段的末端預設距離,用導電泥將第二金屬導體密封于第二槽內;
連接金屬導體:沿陶瓷管毛坯泥段的圓周挖連接溝至第一金屬導體和第二金屬導體部分裸露于外部環境,在連接溝內放入金屬導線,使第二金屬導體通過金屬導線與第一金屬導體電連接,用導電泥將金屬導線密封于連接溝內;
烘干、上釉、燒制成型:烘干之后,將陶瓷管毛坯泥段放入盛裝半導體釉的桶內涂覆半導體釉層,之后將涂覆有半導體釉層的陶瓷管毛坯泥段放入盛裝絕緣釉的桶內涂覆絕緣釉層,之后燒制成型,形成陶瓷管。
5.根據權利要求4所述的陶瓷管的制備方法,其特征在于,所述“連通冷卻孔、封盲孔成型”的步驟具體包括以下步驟:
放置陶瓷管毛坯泥段于成型定位模具內;
放置支撐桿于陶瓷管毛坯泥段的中空部分和冷卻孔內;
采用開縫刀于冷卻孔的末端挖縫使冷卻孔與陶瓷管毛坯泥段的中空部分連通;
調整支撐桿的末端距離陶瓷管毛坯泥段的末端預設間距,對陶瓷管毛坯泥段的中空部分和冷卻孔的末端夾壁進行鑲泥,使用錐形擠縫棒朝向支撐桿擠壓泥巴;
使用泥巴逐個封堵陶瓷管毛坯泥段的中空部分的末端和冷卻孔的末端,并朝向支撐桿夯實泥巴;
將封頭模具套設于陶瓷管毛坯泥段的末端和成型定位模具的外周,朝向成型定位模具推動并旋轉封頭模具,使陶瓷管毛坯泥段的末端呈齊頭狀。
6.根據權利要求4所述的陶瓷管的制備方法,其特征在于,所述第一槽的長度大于所述第一金屬導體的長度,所述第二槽的長度大于所述第二金屬導體的長度。
7.根據權利要求4所述的陶瓷管的制備方法,其特征在于,所述盛裝半導體釉的桶的底部設置有用于限制浸釉高度的墊塊,所述連接溝沿所述半導體釉層的高度的中間位置挖設。
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