[發明專利]近紅外熒光粉及其制備方法、發光裝置

有效

• 申請號: 202011229308.5
• 申請日: 2020-11-06
• 公開（公告）號: CN112322283B
• 公開（公告）日: 2021-07-20
• 發明（設計）人: 陳磊;林金填;吳宇;田琪;黎學文;蔡濟隆
• 申請（專利權）人: 旭宇光電（深圳）股份有限公司
• 主分類號: C09K11/64
• 分類號: C09K11/64;C09K11/66;C09K11/80
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 曹柳

1.一種近紅外熒光粉，其特征在于，所述近紅外熒光粉的化學通式為A_1-yMgM_10-x-zR_xO_17-xN_x:yEu²⁺,zCr³⁺；其中，R位為Si、Ge、Sn中的一種，0≤y≤0.05，0x≤3，0.01≤z≤0.1；

其中，所述A位為Ba和Sr；

所述A位Ba和Sr的元素比為(1~2)：1；

所述M位為Al和Ga；

所述M位Al和Ga的元素比為(5~7)：1。

2.如權利要求1所述的近紅外熒光粉，其特征在于，所述近紅外熒光粉的最佳激發波長位于400~440nm之間，發射峰峰值波長位于700nm~730nm之間。

3.如權利要求1或2所述的近紅外熒光粉，其特征在于，

所述R位為Si或Ge。

4.如權利要求3所述的近紅外熒光粉，其特征在于，

所述R位為Si。

5.如權利要求4所述的近紅外熒光粉，其特征在于，0.02≤y≤0.04，1≤x≤3，0.03≤z≤0.08。

6.如權利要求5所述的近紅外熒光粉，其特征在于，0.03≤y≤0.04，2≤x≤3，0.04≤z≤0.06。

7.如權利要求5所述的近紅外熒光粉，其特征在于，y=0.035，2≤x≤3，z=0.05。

8.一種如權利要求1~7任一所述的近紅外熒光粉的制備方法，其特征在于，包括步驟：

按所述近紅外熒光粉中各元素比例，將A的前驅體、Mg的前驅體、M的前驅體和Eu的前驅體混合后，進行第一次燒結處理，得到中間體；

將所述中間體破碎后與R的前驅體和Cr的前驅體混合，進行第二次燒結處理，破碎得到近紅外熒光粉。

9.如權利要求8所述的近紅外熒光粉的制備方法，其特征在于，所述第一次燒結處理的條件包括：在溫度為1200℃~1600℃，含有氫氣的混合氣氛下，燒結4~6h；

所述第二次燒結處理的條件包括：在溫度為1500℃~1800℃，含有氫氣的混合氣氛下，燒結4~6h；

和/或，所述近紅外熒光粉的粒徑為12~17微米；

和/或，所述A的前驅體選自A的氧化物；

和/或，所述Mg的前驅體選自Mg的氧化物；

和/或，所述M的前驅體選自M的氧化物；

和/或，所述Eu的前驅體選自Eu的氧化物；

和/或，所述R的前驅體選自R的氮化物；

和/或，所述Cr的前驅體選自Cr的氧化物、Cr的氮化物、Cr的氟化物中的至少一種。

10.一種發光裝置，其特征在于，所述發光裝置包括如權利要求1~7任一所述的近紅外熒光粉，或者包含如權利要求8~9任一所述制備方法制得的近紅外熒光粉。