[發明專利]芯片轉移方法

在審

• 申請號: 202011229270.1
• 申請日: 2020-11-06
• 公開（公告）號: CN112366154A
• 公開（公告）日: 2021-02-12
• 發明（設計）人: 馬剛;閆曉林
• 申請（專利權）人: 深圳市TCL高新技術開發有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;H01L25/075
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 黃志云

1.一種芯片轉移方法，其特征在于，包括：

將混有芯片的溶液鋪在預設模板上，所述芯片的兩個芯片電極分別設置于所述芯片的相對的兩端，所述兩個芯片電極中的一個芯片電極鍍有磁性材料，所述預設模板包括模板主體及貼合置于所述模板主體之下的基板，所述基板設置有基板電極，所述模板主體對應所述基板電極處開設有供所述芯片落入至所述基板電極的通孔；

對鋪有所述溶液的預設模板施加磁場，鍍有磁性材料的芯片電極與所述基板電極接觸；

加熱去除所述溶液，并移除所述模板主體。

2.如權利要求1所述的芯片轉移方法，其特征在于，所述磁性材料的表面還鍍有焊接材料。

3.如權利要求2所述的芯片轉移方法，其特征在于，所述焊接材料與所述磁性材料的體積比為1:0.5-1:3。

4.如權利要求2所述的芯片轉移方法，其特征在于，所述加熱去除所述溶液，并移除所述模板主體，實現芯片的轉移之后還包括：

對所述基板進行加熱，使所述焊接材料融化與所述鍍有磁性材料的芯片電極固定焊接。

5.如權利要求4所述的芯片轉移方法，其特征在于，所述對所述基板進行加熱，包括：

以110-120℃/min的速度將所述基板升溫至140℃；

以30-40℃/min的速度將所述基板從140℃升溫至170℃；

以40-50℃/min的速度將所述基板從170℃升溫至210℃；

以50-60℃/min的速度將所述基板從210℃升溫至260℃；

以80-90℃/min的速度將所述基板從210℃降溫至180℃；

以60-70℃/min的速度將所述基板從210℃降溫至120℃。

6.如權利要求4所述的芯片轉移方法，其特征在于，所述對所述基板進行加熱，使所述焊接材料融化與所述鍍有磁性材料的芯片電極固定焊接之后還包括：

在所述基板上沉積絕緣層，所述絕緣層的厚度大于所述芯片的兩個芯片電極之間的最大距離；

對所述絕緣層進行研磨以裸露未鍍有磁性材料的芯片電極；

在研磨處理后的基板上沉積金屬電極層；

在所述金屬電極層上沉積保護層。

7.如權利要求6所述的芯片轉移方法，其特征在于，所述絕緣層為二氧化硅、氮化硅中的至少一種形成的絕緣層，或

所述絕緣層為二氧化硅層、氮化硅形成的復合層。

8.如權利要求1所述的芯片轉移方法，其特征在于，所述溶液包括丙酮或乙醇。

9.如權利要求8所述的芯片轉移方法，其特征在于，所述溶液還包括助焊劑。

10.如權利要求1至9任一項所述的芯片轉移方法，其特征在于，所述磁性材料選自鎳、鐵、鈷中的至少一種。

11.如權利要求1至9任一項所述的芯片轉移方法，其特征在于，所述溶液中含有丙烯酸，且所述溶液中，所述丙烯酸的體積百分含量為0.5％～1.5％。

12.如權利要求1至9任一項所述的芯片轉移方法，其特征在于，所述對鋪有所述溶液的預設模板施加磁場，包括：在所述預設模板的基板所在側，放置磁鐵或電磁鐵。