[發(fā)明專利]一種瞬態(tài)毒侵探測(cè)系統(tǒng)及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011229259.5 | 申請(qǐng)日: | 2020-11-06 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112326617B | 公開(公告)日: | 2021-10-01 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳明紅;王鴻勇;金石琦;雷波;浦嫻娟;雷勇 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海大學(xué) |
| 主分類號(hào): | G01N21/64 | 分類號(hào): | G01N21/64;G01N21/63;G01N21/21;G01N21/01 |
| 代理公司: | 北京方圓嘉禾知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11385 | 代理人: | 王月松 |
| 地址: | 200444*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 瞬態(tài) 探測(cè) 系統(tǒng) 方法 | ||
1.一種瞬態(tài)毒侵探測(cè)系統(tǒng),其特征在于,包括:
樣品靶室,用于盛放被測(cè)樣品;
第一脈沖光調(diào)制器,用于調(diào)制所接收的激光信號(hào)源發(fā)出的激光信號(hào);
偏振分束器,用于接收經(jīng)所述第一脈沖光調(diào)制器調(diào)制后的激光信號(hào),并對(duì)調(diào)制后的激光信號(hào)分束,得到與所述激光信號(hào)方向相同的第一偏振激光和與所述激光方向不同的第二偏振激光;并使所述第一偏振激光入射到所述樣品靶室內(nèi),使所述第二偏振激光經(jīng)信息處理器的第一輸入端進(jìn)入所述信息處理器;
第二脈沖光調(diào)制器,用于調(diào)制所接收的泵浦信號(hào)源發(fā)出的泵浦激光;
偏振片,用于接收經(jīng)所述第二脈沖光調(diào)制器調(diào)制后的泵浦激光,并對(duì)調(diào)制后的泵浦激光產(chǎn)生偏振作用,得到偏振泵浦激光,使所述偏振泵浦激光入射到所述樣品靶室內(nèi);
所述被測(cè)樣品經(jīng)所述第一偏振激光和所述偏振泵浦激光沖擊得到熒光,所述熒光經(jīng)所述信息處理器的第二輸入端進(jìn)入所述信息處理器;
所述信息處理器分別以第二偏振激光和熒光作為二階關(guān)聯(lián)函數(shù)的輸入,利用二階關(guān)聯(lián)函數(shù)探測(cè)出被測(cè)樣品的瞬態(tài)毒侵過程;
所述利用二階關(guān)聯(lián)函數(shù)探測(cè)出被測(cè)樣品的瞬態(tài)毒侵過程具體為:
設(shè)定二階關(guān)聯(lián)函數(shù)的表達(dá)式為:
公式(1)中的E*(t)表示t時(shí)刻的共軛場(chǎng)振幅,E*(t+τ)表示t+τ時(shí)刻的共軛場(chǎng)振幅,E(t+τ)表示t+τ時(shí)刻的場(chǎng)振幅,E(t)表示t時(shí)刻的場(chǎng)振幅,*表示共軛;
I(t)表示t時(shí)刻的光強(qiáng)度;
I(t+τ)表示t+τ時(shí)刻的光強(qiáng)度;
公式(2)中的I(r,t)表示空間坐標(biāo)r在t時(shí)刻的光強(qiáng)度;
r1、r2分別表示接收的第二偏振激光和熒光的空間坐標(biāo);
t1、t2分別表示接收的第二偏振激光和熒光的時(shí)間坐標(biāo);
表示第二偏振激光在t1時(shí)刻,空間坐標(biāo)為r1的場(chǎng)振幅,表示第二偏振激光在t1時(shí)刻,空間坐標(biāo)為r1的場(chǎng)共軛振幅;表示熒光在t2時(shí)刻,空間坐標(biāo)為r2的場(chǎng)振幅,表示熒光在t2時(shí)刻,空間坐標(biāo)為r2的場(chǎng)共軛振幅;
表示密度算符;
ψf表示量子系統(tǒng)末態(tài)的狄拉克量子態(tài);
Tr()表示跡函數(shù);
當(dāng)激光信號(hào)或泵浦激光的參數(shù)改變時(shí),公式(1)和(2)的值對(duì)應(yīng)變化,反映被測(cè)樣品在瞬態(tài)毒侵過程中的變化情況;通過觀察二階關(guān)聯(lián)函數(shù)值的變化,實(shí)現(xiàn)對(duì)被測(cè)樣品瞬態(tài)毒侵過程的探測(cè)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)毒侵探測(cè)系統(tǒng),其特征在于,所述樣品靶室包括:
樣品臺(tái),位于樣品靶室內(nèi)部,用于承載并墊高所述被測(cè)樣品;
第一入射窗,第一偏振激光經(jīng)第一入射窗直射被測(cè)樣品;
第二入射窗,偏振泵浦激光經(jīng)第二入射窗直射被測(cè)樣品;
至少一個(gè)出射窗,用于使所述信息處理器的第二輸入端接收所述熒光;
所述第一入射窗、第二入射窗和出射窗均位于所述樣品靶室的側(cè)壁;
輸入口,位于所述樣品靶室的頂部,用于將被測(cè)樣品放入到所述樣品臺(tái)上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的瞬態(tài)毒侵探測(cè)系統(tǒng),其特征在于,還包括反射鏡組;
所述反射鏡組包括第一反射鏡、第二反射鏡、第三反射鏡和第四反射鏡;
所述第一偏振激光以非直角入射到所述第一反射鏡,再經(jīng)所述第一反射鏡反射,得到第一反射激光;
所述第一反射激光以非直角入射到所述第二反射鏡,再經(jīng)所述第二反射鏡反射,得到第二反射激光;
所述第二反射激光以非直角入射到所述第三反射鏡,再經(jīng)所述第三反射鏡反射,得到第三反射激光;
所述第三反射激光以非直角入射到所述第四反射鏡,再經(jīng)所述第四反射鏡反射,得到第四反射激光;第四反射激光直射所述被測(cè)樣品。
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G01N21-17 .入射光根據(jù)所測(cè)試的材料性質(zhì)而改變的系統(tǒng)
G01N21-62 .所測(cè)試的材料在其中被激發(fā),因之引起材料發(fā)光或入射光的波長(zhǎng)發(fā)生變化的系統(tǒng)
G01N21-75 .材料在其中經(jīng)受化學(xué)反應(yīng)的系統(tǒng),測(cè)試反應(yīng)的進(jìn)行或結(jié)果
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