[發(fā)明專利]三維鎵印跡五倍子單寧硅基復(fù)合材料及其在回收鎵中的應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011228492.1
• 申請日: 2020-11-06
• 公開（公告）號: CN112452302A
• 公開（公告）日: 2021-03-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 熊英;趙玉梅;朱龍;于海彪;王月嬌;崔俊碩;婁振寧;單煒軍
• 申請（專利權(quán)）人: 遼寧大學(xué)
• 主分類號: B01J20/22
• 分類號: B01J20/22;C02F1/28;C22B7/00;C22B58/00;B01J20/30
• 代理公司: 沈陽杰克知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 21207
• 代理人: 金春華

1.三維鎵印跡五倍子單寧硅基復(fù)合材料，其特征在于，制備方法包括如下步驟：

1)將P123溶于鹽酸水溶液中，攪拌至其溶解后逐滴滴入正丁醇，并在35℃下攪拌1h，隨后滴入適量TEOS，繼續(xù)攪拌2-3h，再加入五倍子單寧水溶液繼續(xù)攪拌1-3h，然后加入鎵溶液繼續(xù)反應(yīng)4-12h，最后逐滴加入戊二醛交聯(lián)20-24h，得反應(yīng)物；

2)將步驟1)所得反應(yīng)物轉(zhuǎn)入反應(yīng)釜中，于90-105℃下進(jìn)行水熱反應(yīng)20-24h，冷卻后，抽濾、洗滌，然后利用丙酮索氏提取器提取18-22h后，使用鹽酸將模板離子鎵洗脫，得到目標(biāo)產(chǎn)物三維鎵印跡五倍子單寧硅基復(fù)合材料。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維鎵印跡五倍子單寧硅基復(fù)合材料，其特征在于，步驟1)中，按質(zhì)量比，P123：正丁醇：TEOS＝1:1:(2.03-2.25)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維鎵印跡五倍子單寧硅基復(fù)合材料，其特征在于，步驟1)中，所述五倍子單寧水溶液，按1.2g五倍子單寧溶于10-20mL去離子水中進(jìn)行配制。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維鎵印跡五倍子單寧硅基復(fù)合材料，其特征在于，步驟1)中，所述鎵溶液，Ga(III)的濃度為25-200mg·L^-1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的三維鎵印跡五倍子單寧硅基復(fù)合材料，其特征在于，步驟1)中，每4g P123加入戊二醛5-20mL。

6.權(quán)利要求1-5任意一項所述的三維鎵印跡五倍子單寧硅基復(fù)合材料作為吸附劑在回收稀散金屬鎵中的應(yīng)用。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的應(yīng)用，其特征在于，方法如下：于含有Ga(III)的溶液中，加入三維鎵印跡五倍子單寧硅基復(fù)合材料，轉(zhuǎn)至180r·min^-1的振蕩箱中，30℃下振蕩吸附22-24h，過濾，干燥。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的應(yīng)用，其特征在于，還包括洗脫步驟，加入洗脫劑，震蕩20-24h后，過濾。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的應(yīng)用，其特征在于，所述洗脫劑是，體積百分濃度為5-10％的NH₃·H₂O或體積百分濃度為3-10％的HCl。

10.根據(jù)權(quán)利要求7-9任意一項所述的應(yīng)用，其特征在于，調(diào)節(jié)含有Ga(III)的溶液的pH＝10，初始濃度為20-400mg·L^-1。