[發明專利]陣列基板、顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 202011228463.5 | 申請日: | 2020-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN112349734B | 公開(公告)日: | 2021-11-05 |
| 發明(設計)人: | 楊艷娜;李偉 | 申請(專利權)人: | 惠科股份有限公司;重慶惠科金渝光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;G02F1/1339;G02F1/1343;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287 | 代理人: | 張志江 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區石巖街道水田村民*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種陣列基板,其特征在于,包括:
鈍化層;
像素電極層,設于所述鈍化層上;
電連接區,所述鈍化層于所述電連接區設有過孔,且所述鈍化層于所述電連接區形成凸起,所述像素電極層部分設于所述電連接區,并伸入所述過孔;以及
高度補償區,所述高度補償區的頂層結構的表面與所述像素電極層設于所述電連接區的部分的表面平齊,以使所述陣列基板在與彩膜基板對盒時,所述彩膜基板上的同一隔墊物同時被所述電連接區的所述像素電極層和所述高度補償區的頂層結構支撐;
其中,所述高度補償區與電連接區間隔設置。
2.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括增高層,所述增高層設于所述高度補償區,以使所述高度補償區的頂層結構與所述電連接區的所述像素電極層的表面平齊。
3.如權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述增高層設于所述鈍化層上,所述增高層的材料與所述像素電極層的材料相同。
4.如權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括玻璃基板、第一金屬層、柵極絕緣層、第二金屬層及有源層,所述第一金屬層設于所述玻璃基板上,所述柵極絕緣層設于所述第一金屬層上,所述第二金屬層設于所述柵極絕緣層上,所述有源層設于所述柵極絕緣層與所述第二金屬層之間;其中,
所述增高層設于所述鈍化層與所述柵極絕緣層之間,所述增高層的材料與所述第二金屬層和/或所述有源層的材料相同。
5.如權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括玻璃基板,第一金屬層、柵極絕緣層、第二金屬層,所述第一金屬層設于所述玻璃基板上,所述柵極絕緣層設于所述第一金屬層上,所述第二金屬層設于所述柵極絕緣層上;其中,
至少部分所述增高層與所述鈍化層一體成型,以使所述鈍化層于所述高度補償區的厚度大于所述高度補償區外的厚度;或,
至少部分所述增高層與所述柵極絕緣層一體成型,以使所述柵極絕緣層于所述高度補償區的厚度大于所述高度補償區層外的厚度;或,
至少部分所述增高層與所述第一金屬層一體成型,以使所述第一金屬層于所述高度補償區的厚度大于所述高度補償區外的厚度;或,
至少部分所述增高層與所述玻璃基板一體成型,以使所述玻璃基板于所述高度補償區的厚度大于所述高度補償區外的厚度。
6.如權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述增高層的厚度為d0,所述像素電極層的厚度為d1,所述陣列基板的第二金屬層的厚度為d2,所述陣列基板的有源層的厚度為d3,所述陣列基板的第一金屬層的厚度為d4,則,
d0=d1+d2+d3-d4。
7.如權利要求2至6中任一項所述的陣列基板,其特征在于,所述增高層由半色調光罩制成。
8.一種顯示面板,其特征在于,包括彩膜基板,及如權利要求1至1中任一項所述陣列基板,所述彩膜基板與所述陣列基板相對設置。
9.一種顯示裝置,其特征在于,包括如權利要求1至7中任一項所述陣列基板。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





