[發(fā)明專利]一種基于雙頻饋源饋電的低焦徑比反射面天線

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011227384.2
• 申請日: 2020-11-06
• 公開（公告）號: CN112490674B
• 公開（公告）日: 2021-12-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 屈世偉;魯森林;楊仕文
• 申請（專利權(quán)）人: 電子科技大學(xué)
• 主分類號: H01Q5/28
• 分類號: H01Q5/28;H01Q5/55;H01Q1/50;H01Q13/02;H01Q15/16;H01Q15/14
• 代理公司: 電子科技大學(xué)專利中心 51203
• 代理人: 陳一鑫

1.一種基于雙頻饋源饋電具有副反射面的低焦徑比反射面天線，該天線包括：雙頻饋源、高頻副面介質(zhì)、副面支撐金屬、低頻副面反射陣、環(huán)焦反射面；

所述雙頻饋源包括：低頻饋源和高頻饋源，其中，低頻饋源為同軸喇叭，該同軸喇叭包括傳輸段和擴張段，傳輸段為中空管狀，擴張段為喇叭狀，傳輸段底端的側(cè)邊開口為同軸喇叭的輸入接口；高頻饋源為圓波導(dǎo)，該圓波導(dǎo)與同軸喇叭的軸心重合，位于同軸喇叭腔體內(nèi)部，從同軸喇叭的傳輸段底端開口為圓波導(dǎo)輸入接口；同軸喇叭的傳輸段與擴張段的交界處設(shè)置固定介質(zhì)，用于圓波導(dǎo)；

所述圓波導(dǎo)的輸出端連接高頻副面介質(zhì)的一端，高頻副面介質(zhì)的另一端與副面支撐金屬的一端配合連接，副面支撐金屬的另一端固定于低頻副面反射陣的中心位置；所述低頻副面反射陣為平板狀；所述高頻副面介質(zhì)整體呈圓錐形，圓錐頂部為階梯狀，圓錐底面向內(nèi)凹陷形成凹面，該凹面涂覆有銀，該凹面的腰線為向內(nèi)凸起的橢圓母線；圓錐頂部朝向雙頻饋源中的圓波導(dǎo)，階梯狀結(jié)構(gòu)全部位于圓波導(dǎo)腔體內(nèi)，圓錐底面與副面支撐金屬的一端完全配合；

所述環(huán)焦反射面為碗狀，其內(nèi)曲面線為拋物線母線，雙頻饋源從碗底伸入，低頻副面反射陣位于碗的中心位置。

2.如權(quán)利要求1所述的一種基于雙頻饋源饋電具有副反射面的低焦徑比反射面天線，其特征在于，所述雙頻饋源內(nèi)的固定介質(zhì)朝向同軸喇叭傳輸段的一側(cè)為階梯狀。