[發明專利]功率器件封裝結構、封裝方法及封裝系統

有效

• 申請號: 202011226562.X
• 申請日: 2020-11-05
• 公開（公告）號: CN112382615B
• 公開（公告）日: 2023-03-10
• 發明（設計）人: 錢曉峰;杜樹安;楊光林;韓亞男;楊曉君
• 申請（專利權）人: 海光信息技術股份有限公司
• 主分類號: H01L23/04
• 分類號: H01L23/04;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/52
• 代理公司: 北京蘭亭信通知識產權代理有限公司 11667
• 代理人: 趙永剛

1.一種功率器件封裝結構，其特征在于，包括：基板、第一芯片、第二芯片和支撐件；

所述支撐件固定設置在所述第一芯片朝向第一方向的一側，所述支撐件朝向所述第一芯片的表面開設有凹槽；

在所述支撐件與所述第一芯片之間填充有導熱界面材料；

所述第一芯片和所述第二芯片均固定設置于所述基板朝向所述第一方向的一側；

所述第二芯片位于所述第一芯片朝向第二方向的一側，所述第二方向與所述第一方向垂直；

所述基板朝向所述第一方向的一側還設置有定位件；

所述定位件用于標定所述第一芯片朝向第一方向的表面與所述第二芯片朝向第一方向的表面的相對距離。

2.根據權利要求1所述的功率器件封裝結構，其特征在于，所述凹槽包括：底面和側面；

所述底面與所述第一芯片朝向所述第一方向的表面平行，所述側面一端與所述底面連接，所述側面的另一端與所述支撐件朝向第一芯片的表面連接。

3.根據權利要求2所述的功率器件封裝結構，其特征在于，所述底面的幾何中心與所述第一芯片的幾何中心同在沿第一方向的直線上。

4.根據權利要求2所述的功率器件封裝結構，其特征在于，所述底面的面積小于或等于所述第一芯片朝向所述支撐件的表面面積。

5.根據權利要求2所述的功率器件封裝結構，其特征在于，所述側面與所述第一方向相交。

6.根據權利要求2所述的功率器件封裝結構，其特征在于，所述側面遠離所述底面的一端位于所述第一芯片和所述第二芯片之間的間隙朝向第一方向的一側。

7.根據權利要求2所述的功率器件封裝結構，其特征在于，所述凹槽的深度小于所述底面至所述第一芯片朝向所述第一方向的表面的距離。

8.根據權利要求2所述的功率器件封裝結構，其特征在于，所述第一芯片朝向第一方向的表面至所述基板朝向第一方向的距離大于所述第二芯片朝向第一方向的表面至所述基板朝向第一方向的距離；

所述第二芯片朝向第一方向的表面至所述第一芯片朝向第一方向的表面的距離小于所述第一芯片朝向第一方向的表面至所述底面的距離。

9.根據權利要求1所述的功率器件封裝結構，其特征在于，所述基板朝向所述第一方向的表面還固定設置有防護環。

10.根據權利要求1所述的功率器件封裝結構，其特征在于，所述功率器件封裝結構還包括：散熱器；

所述散熱器固定設置于所述第一芯片朝向第一方向的一側。

11.根據權利要求10所述的功率器件封裝結構，其特征在于，所述支撐件包括：所述第一芯片的防護蓋或所述散熱器的底座。

12.一種功率器件封裝方法，其特征在于，包括：

提供如權利要求1至11任一項所述的第一芯片和支撐件；

在所述第一芯片和所述支撐件之間填充導熱界面材料，以形成導熱層，所述導熱層位于所述第一芯片和所述支撐板相對的表面之間，且所述導熱層還位于所述凹槽內。

13.根據權利要求12所述的功率器件封裝方法，其特征在于，在所述第一芯片和所述支撐件之間填充導熱界面材料，以形成導熱層之前，所述方法還包括：

在所述第一芯片朝向第一方向的表面選定多個第一測量點；

根據所述定位件，確定多個第一測量點中距離所述基板朝向第一方向表面距離最大的點，并將距離最大的點作為第一目標點；

在所述第二芯片朝向第一方向的表面選定多個第二測量點；

根據所述定位件，確定多個第二測量點中距離所述基板朝向第一方向表面距離最大的點，并將距離最大的點作為第二目標點；

根據所述第一目標點和所述第二目標點在第一方向上的相對距離，確定填充在所述凹槽的底面和所述第一芯片朝向第一方向的表面之間的導熱層的厚度。