[發(fā)明專(zhuān)利]背照式圖像傳感器及其形成方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202011225200.9 | 申請(qǐng)日： | 2020-11-05 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN112349740A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-02-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 趙長(zhǎng)林;胡勝 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 武漢新芯集成電路制造有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào)： | H01L27/146 | 分類(lèi)號(hào)： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 國(guó)省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 背照式 圖像傳感器 及其 形成 方法 | ||
1.一種背照式圖像傳感器的形成方法，其特征在于，包括：
提供襯底，所述襯底具有相對(duì)的襯底正面和襯底背面，所述襯底正面形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中嵌設(shè)有金屬布線層；
提供一張掩膜版，所述一張掩膜版上形成有對(duì)應(yīng)引出孔和隔離溝槽的圖形；
采用所述一張掩膜版形成圖形化的光阻層，所述圖形化的光阻層包括對(duì)應(yīng)所述引出孔和所述隔離溝槽的開(kāi)口；
以所述圖形化的光阻層為掩膜，從所述襯底背面一側(cè)刻蝕所述襯底形成所述引出孔和所述隔離溝槽；所述引出孔暴露出所述金屬布線層；
形成隔離層，所述隔離層覆蓋所述引出孔的側(cè)壁和底面，所述隔離層還至少覆蓋所述隔離溝槽的側(cè)壁；
刻蝕位于所述引出孔的底部的所述隔離層暴露出所述金屬布線層；
形成互連層，所述互連層至少填充所述引出孔且與所述金屬布線層電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的背照式圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述隔離層還填充所述隔離溝槽。
3.如權(quán)利要求1所述的背照式圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述互連層還填充所述隔離溝槽。
4.如權(quán)利要求1所述的背照式圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述互連層的材質(zhì)包括：鎢。
5.如權(quán)利要求1所述的背照式圖像傳感器的形成方法，其特征在于，采用化學(xué)氣相沉積法、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法或高密度等離子化學(xué)氣相沉積法形成所述互連層。
6.如權(quán)利要求1所述的背照式圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述隔離層的材質(zhì)包括：氧化硅層和/或氮化硅層。
7.一種背照式圖像傳感器，其特征在于，包括：
襯底，所述襯底具有相對(duì)的襯底正面和襯底背面，所述襯底正面形成有介質(zhì)層，所述介質(zhì)層中嵌設(shè)有金屬布線層；
引出孔和隔離溝槽，所述引出孔貫穿所述襯底且暴露出所述金屬布線層，所述隔離溝槽貫穿部分厚度或全部厚度的所述襯底；
隔離層，所述隔離層覆蓋所述引出孔的側(cè)壁，所述隔離層還至少覆蓋所述隔離溝槽的側(cè)壁；
互連層，所述互連層至少填充所述引出孔且與所述金屬布線層電連接。
8.如權(quán)利要求7所述的背照式圖像傳感器，其特征在于，所述互連層還填充所述隔離溝槽。
9.如權(quán)利要求7所述的背照式圖像傳感器，其特征在于，
所述襯底上形成有多個(gè)像素單元區(qū)域，相鄰的像素單元區(qū)域之間分布有所述隔離溝槽，在每個(gè)所述像素單元區(qū)域的正上方均分布有濾色單元和微透鏡。
10.如權(quán)利要求7所述的背照式圖像傳感器，其特征在于，在垂直于所述襯底的截面上，所述引出孔的截面形狀為矩形。
該專(zhuān)利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)。該專(zhuān)利全部權(quán)利屬于武漢新芯集成電路制造有限公司，未經(jīng)武漢新芯集成電路制造有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專(zhuān)利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202011225200.9/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專(zhuān)利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專(zhuān)利
- 專(zhuān)利分類(lèi)
H01L 半導(dǎo)體器件；其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專(zhuān)門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的；包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專(zhuān)門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的；包括有熱磁組件的
