[發明專利]一種多晶硅懸臂梁陣列結構及其制備方法和應用在審
| 申請號： | 202011224898.2 | 申請日： | 2020-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN112340695A | 公開（公告）日： | 2021-02-09 |
| 發明（設計）人： | 李新;吳沛珊;肖淼 | 申請（專利權）人： | 沈陽工業大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00;B81B3/00 |
| 代理公司： | 北京君泊知識產權代理有限公司 11496 | 代理人： | 李丹 |
| 地址： | 110000 遼寧省沈*** | 國省代碼： | 遼寧;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 多晶 懸臂梁 陣列 結構 及其 制備 方法 應用 | ||
1.一種多晶硅懸臂梁陣列結構的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
在硅片襯底上沉積一層的類金剛石薄膜；
干法刻蝕所述類金剛石薄膜后，再在其表面生長二氧化硅層；
利用CF4和He的混合氣體干法刻蝕所述二氧化硅層后，再在其表面生長多晶硅層；
利用Cl2和He的混合氣體干法刻蝕所述多晶硅層后，再腐蝕去除所述二氧化硅層，形成多晶硅懸臂梁，并經清洗、烘干后，得到所述多晶硅懸臂梁陣列結構。
2.根據權利要求1所述的一種多晶硅懸臂梁陣列結構的制備方法，其特征在于，所述類金剛石薄膜的厚度為50～150nm。
3.根據權利要求1所述的一種多晶硅懸臂梁陣列結構的制備方法，其特征在于，所述硅片襯底為Si(100)。
4.根據權利要求1所述的一種多晶硅懸臂梁陣列結構的制備方法，其特征在于，所述CF4和He的混合氣體中，CF4與He的體積比為(1～3):(5～7)。
5.根據權利要求1所述的一種多晶硅懸臂梁陣列結構的制備方法，其特征在于，所述Cl2和He的混合氣體中，Cl2和He的體積比為(2～4):(6～8)。
6.根據權利要求1所述的一種多晶硅懸臂梁陣列結構的制備方法，其特征在于，所述步驟中，利用HF緩沖液腐蝕去除所述二氧化硅層。
7.根據權利要求6所述的一種多晶硅懸臂梁陣列結構的制備方法，其特征在于，所述HF緩沖液包括HF、NH4F和H2O。
8.根據權利要求7所述的一種多晶硅懸臂梁陣列結構的制備方法，其特征在于，所述HF緩沖液中，HF、NH4F和H2O的體積比為10:(30～50):(2～4)。
9.一種如權利要求1～8中任一項所述制備方法制得的多晶硅懸臂梁陣列結構。
10.一種如權利要求9所述的多晶硅懸臂梁陣列結構在微機電系統中的應用。
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