[發(fā)明專利]一種多晶硅懸臂梁陣列結(jié)構(gòu)及其制備方法和應(yīng)用

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202011224898.2
• 申請日: 2020-11-05
• 公開（公告）號: CN112340695A
• 公開（公告）日: 2021-02-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李新;吳沛珊;肖淼
• 申請（專利權(quán)）人: 沈陽工業(yè)大學(xué)
• 主分類號: B81C1/00
• 分類號: B81C1/00;B81B3/00
• 代理公司: 北京君泊知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11496
• 代理人: 李丹

1.一種多晶硅懸臂梁陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

在硅片襯底上沉積一層的類金剛石薄膜；

干法刻蝕所述類金剛石薄膜后，再在其表面生長二氧化硅層；

利用CF₄和He的混合氣體干法刻蝕所述二氧化硅層后，再在其表面生長多晶硅層；

利用Cl₂和He的混合氣體干法刻蝕所述多晶硅層后，再腐蝕去除所述二氧化硅層，形成多晶硅懸臂梁，并經(jīng)清洗、烘干后，得到所述多晶硅懸臂梁陣列結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅懸臂梁陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述類金剛石薄膜的厚度為50～150nm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅懸臂梁陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述硅片襯底為Si(100)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅懸臂梁陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述CF₄和He的混合氣體中，CF₄與He的體積比為(1～3):(5～7)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅懸臂梁陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述Cl₂和He的混合氣體中，Cl₂和He的體積比為(2～4):(6～8)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種多晶硅懸臂梁陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述步驟中，利用HF緩沖液腐蝕去除所述二氧化硅層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種多晶硅懸臂梁陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述HF緩沖液包括HF、NH₄F和H₂O。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種多晶硅懸臂梁陣列結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述HF緩沖液中，HF、NH₄F和H₂O的體積比為10:(30～50):(2～4)。

9.一種如權(quán)利要求1～8中任一項所述制備方法制得的多晶硅懸臂梁陣列結(jié)構(gòu)。

10.一種如權(quán)利要求9所述的多晶硅懸臂梁陣列結(jié)構(gòu)在微機電系統(tǒng)中的應(yīng)用。