[發明專利]有機發光顯示裝置在審
| 申請號: | 202011224643.6 | 申請日: | 2020-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN112786662A | 公開(公告)日: | 2021-05-11 |
| 發明(設計)人: | 文知浩;樸鐘宇;趙大衍;崔榮太 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;陳俊 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光 顯示裝置 | ||
本發明的實施例涉及一種有機發光顯示裝置,所述有機發光顯示裝置包括基板、第一有源圖案、第一柵極電極、第二柵極電極、第三柵極電極、金屬圖案和有機發光二極管。第一有源圖案設置在基板上,并且包括第一區域、第二區域和第三區域。第三柵極電極設置在第一柵極電極和第二柵極電極設置在其上的第一有源圖案上,與第二區域重疊,并且與第一柵極電極一起形成存儲電容器。金屬圖案設置在第一有源圖案和第三柵極電極之間并且與第二區域重疊。
技術領域
本公開總體上涉及一種有機發光顯示裝置,并且更具體地涉及一種包括金屬圖案的有機發光顯示裝置。
背景技術
近來,有機發光顯示裝置作為顯示裝置已引起關注。通常,有機發光顯示裝置可以包括多個像素電路,并且每個像素電路可以包括晶體管、至少一個存儲電容器和有機發光二極管。晶體管可以包括用于生成驅動電流并且將驅動電流供應給有機發光二極管的第一晶體管,以及用于響應于掃描信號而將數據電壓傳輸到第一晶體管的第二晶體管。可以通過在發射時段和非發射時段的每一個期間分別導通或截止晶體管來驅動像素電路。
在像素電路被驅動的情況下,第二晶體管的閾值電壓可能隨著像素電路內部的溫度升高而改變。因此,在用于使第二晶體管截止的掃描信號提供給第二晶體管的情況下,可能生成流過第二晶體管的漏電流。例如,在第二晶體管截止的非發射時段期間,提供給第二晶體管的數據電壓(例如,與黑色圖像對應的黑色數據電壓)可以提供給第一晶體管。數據電壓可能干擾通過第一晶體管生成驅動電流的操作,使得在常規有機發光顯示裝置上可能顯示不期望的水平線。
將理解的是,此背景技術部分部分地旨在為理解技術提供有用的背景。然而,此背景技術部分也可以包括不是相關領域的普通技術人員在本文中公開的主題的對應有效申請日之前已知或理解的思想、概念或認識的一部分的思想、概念或認識。
發明內容
本發明的一些實施例提供了一種包括金屬圖案的有機發光顯示裝置。
根據一實施例的一方面,一種有機發光顯示裝置包括基板、第一有源圖案、第一柵極電極、第二柵極電極、第三柵極電極、金屬圖案和有機光發光二極管。第一有源圖案設置在基板上,并且包括第一區域、第二區域和第三區域。第一柵極電極設置在第一有源圖案上,與第一有源圖案的一部分重疊,并且與第一區域和第二區域一起形成第一晶體管。第二柵極電極設置在第一有源圖案上,并且與第二區域和第三區域一起形成第二晶體管。第一柵極電極和第二柵極電極設置在同一層上。第三柵極電極設置在第一柵極電極上,與第二區域重疊,并且與第一柵極電極一起形成存儲電容器。金屬圖案設置在第一有源圖案和第三柵極電極之間并且與第二區域重疊。有機發光二極管電連接到第一晶體管、第二晶體管和存儲電容器。
在一實施例中,金屬圖案可以屏蔽第二區域,使得在第二區域和第三柵極電極之間不生成寄生電容器。
在一實施例中,第一晶體管可以包括驅動晶體管,以及數據電壓提供給第二區域。
在一實施例中,金屬圖案可以沿著第二區域的平面形狀設置。
在一實施例中,金屬圖案可以與第一柵極電極和第二柵極電極分隔開。
在一實施例中,可以不向金屬圖案提供電壓。
在一實施例中,金屬圖案與第一柵極電極和第二柵極電極可以設置在同一層上。
在一實施例中,第一區域、第二區域和第三區域可以與第一柵極電極和第二柵極電極不重疊。第二區域可以設置在第一區域和第三區域之間。數據電壓可以通過第二晶體管提供給第二區域,并且提供給第二區域的數據電壓可以提供給第一晶體管。
在一實施例中,第一晶體管和第二晶體管可以是PMOS晶體管。
在一實施例中,第一有源圖案可以包括硅半導體。
在一實施例中,離子可以注入到第一區域、第二區域和第三區域中。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





