[發明專利]一種用于定位和檢測玻璃封接結構表面導電型通路的方法

有效

• 申請號: 202011224573.4
• 申請日: 2020-11-05
• 公開（公告）號: CN112461880B
• 公開（公告）日: 2022-10-28
• 發明（設計）人: 于翔天;姚子洋;孔靜;吳照璽;吳冰;李巖;汪洋
• 申請（專利權）人: 中國空間技術研究院
• 主分類號: G01N23/2251
• 分類號: G01N23/2251;G01B15/00;G01B15/04;G01R27/02
• 代理公司: 中國航天科技專利中心 11009
• 代理人: 張麗娜

1.一種用于定位和檢測玻璃封接結構表面導電型通路的方法，其特征在于該方法的步驟包括：

(1)使用電阻檢測儀器檢測玻璃封接結構的絕緣電阻，當檢測到的絕緣電阻的阻值低于設定閾值，則被檢測的玻璃封接結構為待測樣品，否則，被檢測的玻璃封接結構無需進行后續檢測；

(2)清除步驟(1)中的待測樣品的表面遮擋物，去除遮擋物的過程不得損傷待測樣品表面；

(3)將待測樣品直接置于可抽真空受控帶電粒子束設備內進行試驗，且待測樣品的法向與入射帶點粒子束的方向平行，然后設置場發射掃描電子顯微鏡的工作距離、加速電壓和束流強度，開始進行掃描并進行對焦，對焦時不在玻璃封接結構區域進行對焦；

(4)步驟(3)中對焦清晰后，調整到設備的最小放大倍數，且掃描速度每幀不超過900ms，調節對比度為20％-45％，亮度為40％-60％；

(5)將待測樣品移動至視場中心位置，調節設備的放大倍數使待測樣品的整個完整的玻璃封接結構均位于視場中部，并調節掃描速度每幀為900ms-5s，掃描次數為5-30次；

(6)采集導電程度及微觀形貌的綜合襯度圖像，獲得若干個導電通路位置信息；

(7)對步驟(6)中獲得的其中一個導電通路位置處的綜合襯度圖像進行放大500-50000倍，并采集圖像，獲得微納米尺度的導電通路形態和尺寸信息；

所述的步驟(3)中，場發射掃描電子顯微鏡工作距離為30mm～50mm；

所述的步驟(3)中，場發射掃描電子顯微鏡加速電壓為5kV-15kV，束流為100pA-400pA；

所述的步驟(5)中，調節設備的放大倍數使待測樣品的整個完整的玻璃封接結構均位于視場中部即使整個完整的玻璃封接結構的中心與視場的中心重合。

2.根據權利要求1所述的一種用于定位和檢測玻璃封接結構表面導電型通路的方法，其特征在于：

所述的步驟(3)中，可抽真空受控帶電粒子束設備的真空度等同或優于10^-3Pa。

3.根據權利要求1或2所述的一種用于定位和檢測玻璃封接結構表面導電型通路的方法，其特征在于：可抽真空受控帶電粒子束設備為場發射掃描電子顯微鏡。

4.根據權利要求1所述的一種用于定位和檢測玻璃封接結構表面導電型通路的方法，其特征在于：

所述的步驟(3)中，場發射掃描電子顯微鏡中探測器為二次電子探測器SE2。

5.根據權利要求1所述的一種用于定位和檢測玻璃封接結構表面導電型通路的方法，其特征在于：

將待測樣品從場發射掃描電子顯微鏡中取出后使用離子風機去除表面積累的電荷，重復步驟(3)-(7)，獲得另一個導電通路位置處的微納米尺度的導電通路形態、尺寸信息。