[發(fā)明專利]一種基于內(nèi)共振的痕量物質(zhì)傳感器及方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011224099.5 | 申請日: | 2020-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN112325998B | 公開(公告)日: | 2021-08-13 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 夏操;王東方 | 申請(專利權(quán))人: | 吉林大學(xué) |
| 主分類號: | G01G9/00 | 分類號: | G01G9/00;G01N5/02 |
| 代理公司: | 長春吉大專利代理有限責(zé)任公司 22201 | 代理人: | 郭佳寧 |
| 地址: | 130012 吉林省長春市*** | 國省代碼: | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 共振 痕量 物質(zhì) 傳感器 方法 | ||
1.一種基于內(nèi)共振的痕量物質(zhì)傳感器測量痕量物質(zhì)質(zhì)量的方法,其中使用的基于內(nèi)共振的痕量物質(zhì)傳感器包括微驅(qū)動器(1)、L型支撐結(jié)構(gòu)(2)、低頻諧振單元(3)、高頻諧振單元(4)、微換能器(5)、耦合單元(6)和特異性吸附薄膜(7),其中微驅(qū)動器(1)固定在L型支撐結(jié)構(gòu)(2)的底部,低頻諧振單元(3)的左端固定在L型支撐結(jié)構(gòu)(2)的頂部,高頻諧振單元(4)的底部固定在L型支撐結(jié)構(gòu)(2)的右端端部,且低頻諧振單元(3)和高頻諧振單元(4)的振動方向正交;耦合單元(6)的兩部分分別固定在低頻諧振單元(3)右端端部的下表面和高頻諧振單元(4)頂端的左表面,特異性吸附薄膜(7)沉積在低頻諧振單元(3)右端的上表面,低頻諧振單元(3)和高頻諧振單元(4)上分別固定有微換能器(5);
其特征在于方法包括以下步驟:
步驟一,對低頻諧振單元(3)的雙諧振峰頻率進(jìn)行標(biāo)定:
在低頻諧振單元(3)的固有頻率ω1附近,用微驅(qū)動器(1)以幅度為ad,角頻率為Ω的加速度升頻掃描驅(qū)動整個傳感器,低頻諧振單元(3)和高頻諧振單元(4)的固有頻率ω1和ω2分別按下式計算:
其中:k1是低頻諧振單元(3)的線性剛度,k2是高頻諧振單元(4)的線性剛度,μ0是空間磁導(dǎo)率,d為耦合單元(6)的主永磁鐵(601)和副永磁鐵(602)的初始中心距,M為低頻諧振單元(3)的磁矩和高頻諧振單元(4)的磁矩的標(biāo)量值;
在非線性耦合力的作用下,高頻諧振單元(4)與低頻諧振單元(3)發(fā)生2:1內(nèi)共振,低頻諧振單元(3)的部分振動能量轉(zhuǎn)移到高頻諧振單元(4),引起高頻諧振單元(4)的倍頻共振,因此,低頻諧振單元(3)在其固有頻率ω1處的共振峰發(fā)生凹陷,而在固有頻率ω1的左右兩側(cè)出現(xiàn)兩個對稱的諧振峰即雙諧振峰;
通過安裝在低頻諧振單元(3)上的微換能器(5)對低頻諧振單元(3)的該雙諧振峰進(jìn)行定位并通過傅里葉變換對該雙諧振峰的頻率進(jìn)行標(biāo)定,得到低頻諧振單元(3)的左諧振峰傳感頻率ω1L和低頻諧振單元(3)的右諧振峰傳感頻率ω1R;
通過安裝在高頻諧振單元(4)上的微換能器(5)檢測低頻諧振單元(3)的雙諧振峰對應(yīng)的高頻諧振單元(4)的輸出信號,并通過傅里葉變換計算高頻諧振單元(4)的左傳感頻率ω2L和右傳感頻率ω2R;
步驟二,將本傳感器安裝在待測物質(zhì)所在環(huán)境氛圍中;
步驟三,在0.8ω1到1.2ω1的頻率范圍內(nèi)循環(huán)升頻掃描微驅(qū)動器(1),且在升頻過程中以升頻間隔為0.0001ω1不斷計算低頻諧振單元(3)的左諧振峰傳感頻率ω1L和低頻諧振單元(3)的右諧振峰傳感頻率ω1R,如果雙諧振峰頻率之和ω1L+ω1R不斷變化,說明特異性吸附薄膜(7)在不斷吸附待測物質(zhì),待雙諧振峰頻率之和ω1L+ω1R穩(wěn)定不變時,說明達(dá)到了吸附平衡,此時根據(jù)低頻諧振單元(3)上微換能器(5)的輸出電壓標(biāo)定吸附平衡時低頻諧振單元(3)的雙諧振峰頻率ω1L′和ω1R′,并計算此時高頻諧振單元(4)的左傳感頻率ω2L′和右傳感頻率ω2R′;
步驟四,根據(jù)吸附前后高頻諧振單元(4)的左、右傳感頻率之和ω2L+ω2R和ω2L′+ω2R′,按照下式計算所吸附痕量物質(zhì)的質(zhì)量:
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