[發明專利]非易失性存儲器裝置和包括其的存儲裝置在審
| 申請號： | 202011223516.4 | 申請日： | 2020-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN113140248A | 公開（公告）日： | 2021-07-20 |
| 發明（設計）人： | 樸奎河;金炯錫 | 申請（專利權）人： | 三星電子株式會社 |
| 主分類號： | G11C16/04 | 分類號： | G11C16/04;G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人： | 趙南;張帆 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 非易失性存儲器 裝置 包括 存儲 | ||
1.一種非易失性存儲器裝置，包括：
存儲器單元陣列，其包括多個存儲器單元；以及
外圍電路，其被配置為對從所述多個存儲器單元中選擇的存儲器單元執行編程操作，所述編程操作包括重復執行編程循環；
其中，所述編程循環包括：
通過向所選擇的存儲器單元施加編程電壓來執行編程；以及
通過向所選擇的存儲器單元施加多個驗證電壓來執行第一驗證，
其中，所述外圍電路還被配置為：
響應于所述第一驗證的成功來完成所述編程操作；
通過向所選擇的存儲器單元施加與所述多個驗證電壓不同的附加驗證電壓來執行第二驗證；以及
響應所述第二驗證的失敗來確定所述編程操作已經失敗。
2.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，所述外圍電路還被配置為：
響應于所述第二驗證的失敗，將指示編程狀態失敗的信號輸出到外部裝置。
3.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，當所述第二驗證成功時，所述外圍電路確定所述編程操作已經成功。
4.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，所述附加驗證電壓大于所述多個驗證電壓中的最高驗證電壓。
5.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，所述附加驗證電壓與所述多個驗證電壓中的一個驗證電壓相差偏移電壓，并且
其中，當所述一個驗證電壓改變時，所述附加驗證電壓與所述一個驗證電壓一起改變，同時保持所述偏移電壓。
6.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，所述外圍電路還被配置為：
響應于所述第一驗證的成功，在執行所述第二驗證之前執行所述編程以向所選擇的存儲器單元施加所述編程電壓；以及
在執行所述第二驗證之后，執行所述第一驗證以向所選擇的存儲器單元施加所述多個驗證電壓。
7.根據權利要求6所述的非易失性存儲器裝置，其中，所述外圍電路響應于所述第二驗證的成功和所述第一驗證的成功來確定所述編程操作已經成功。
8.根據權利要求6所述的非易失性存儲器裝置，其中，響應于所述第二驗證的成功和所述第一驗證的失敗，所述外圍電路還被配置為執行所述編程、執行所述第二驗證以及執行所述第一驗證。
9.根據權利要求1所述的非易失性存儲器裝置，其中，所述外圍電路還被配置為：
響應于所述第一驗證的成功，在執行所述第二驗證之前執行所述編程以向所選擇的存儲器單元施加所述編程電壓。
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