[發(fā)明專利]一種清洗拋光墊的方法及裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011223294.6 | 申請日： | 2020-11-05 |
| 公開（公告）號： | CN114434332A | 公開（公告）日： | 2022-05-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王建新 | 申請（專利權(quán)）人： | 西安奕斯偉硅片技術(shù)有限公司;西安奕斯偉材料技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | B24B53/017 | 分類號： | B24B53/017;B24B49/00 |
| 代理公司： | 西安維英格知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61253 | 代理人： | 沈寒酉;王渝 |
| 地址： | 710065 陜西*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 清洗 拋光 方法 裝置 | ||
本發(fā)明實施例公開了一種清洗拋光墊的方法及裝置；該方法可以包括：高壓清洗噴頭按照設(shè)定角度向拋光墊上的目標區(qū)域噴射去離子水流時，通過在所述拋光墊上方的設(shè)定位置所設(shè)置的壓力傳感器感應(yīng)反射水流的壓力值；相應(yīng)于所述反射水流的壓力值大于設(shè)定的第一壓力閾值，延長所述高壓清洗噴頭向所述目標區(qū)域噴射去離子水流的時長；相應(yīng)于所述反射水流的壓力值小于設(shè)定的第二壓力閾值，移動所述高壓清洗噴頭以向所述目標區(qū)域的下一區(qū)域噴射去離子水。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明實施例涉及半導體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種清洗拋光墊的方法及裝置。
背景技術(shù)
在半導體工藝技術(shù)中，表面平坦化是處理高密度光刻的一項重要技術(shù)，因為，沒有高低起伏的平坦表面，才能夠避免曝光時造成散射，以達成精密的圖案轉(zhuǎn)移(patterntransfer)。化學機械拋光(CMP，Chemical Mechanical Polishing)法為目前常規(guī)采用的能實現(xiàn)全面性平坦化(global planarization)的一種技術(shù)，該方法的原理是將晶圓與旋轉(zhuǎn)的拋光墊相接觸，并施加一定的壓力，用化學拋光液來對晶圓進行拋光以使晶圓平坦化。也就是說，CMP工藝過程是以化學反應(yīng)為主的機械拋光過程。目前在晶圓加工過程中，平坦化工藝都是以CMP工藝來完成。
需要說明的是，拋光墊表面通常為多孔的聚合物表面，例如發(fā)泡材質(zhì)表面，因此，在拋光過程中，晶圓表面由于拋光而去除的粉末容易與拋光液結(jié)合后被擠壓到拋光墊表面的孔洞中；隨著拋光工藝的進行，逐漸會在拋光墊表面形成一層釉化層，如不及時清理，釉化層面積會逐漸擴大，使得拋光墊表面的粗糙度和硬度不均勻，致使在同樣的拋光程序下導致拋光效果出現(xiàn)差異，并且，如果集結(jié)的釉化層硬度越來越大，甚至會對晶圓表面造成劃傷。因此，當前在CMP工藝過程中，通常在每完成一批次晶圓的拋光工序后，使用高壓的去離子水對拋光墊表面進行沖洗，目的是去除釉化層，使拋光墊表面恢復到有孔洞的狀態(tài)。因此，如何提高拋光墊的清洗效果是需要解決的一個問題。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明實施例期望提供一種清洗拋光墊的方法及裝置；通過降低拋光墊表面釉化層的累積效果來提高拋光墊的清洗效果，最終實現(xiàn)提高拋光墊在CMP工藝過程中的拋光平整度并且降低在CMP工藝過程中發(fā)生劃傷晶圓表面現(xiàn)象的可能性。
本發(fā)明實施例的技術(shù)方案是這樣實現(xiàn)的：
第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種清洗拋光墊的方法，所述方法包括：
高壓清洗噴頭按照設(shè)定角度向拋光墊上的目標區(qū)域噴射去離子水流時，通過在所述拋光墊上方的設(shè)定位置所設(shè)置的壓力傳感器感應(yīng)反射水流的壓力值；其中，所述反射水流由所述去離子水流經(jīng)所述目標區(qū)域反射后形成；
相應(yīng)于所述反射水流的壓力值大于設(shè)定的第一壓力閾值，延長所述高壓清洗噴頭向所述目標區(qū)域噴射去離子水流的時長；
相應(yīng)于所述反射水流的壓力值小于設(shè)定的第二壓力閾值，移動所述高壓清洗噴頭以向所述目標區(qū)域的下一區(qū)域噴射去離子水；其中，所述第二壓力閾值小于所述第一壓力閾值。
第二方面，本發(fā)明實施例提供了一種清洗拋光墊的裝置，所述裝置包括：
高壓清洗臂；
設(shè)置于所述高壓清洗臂一端的高壓清洗噴頭，所述高壓清洗噴頭的噴射方向能夠調(diào)節(jié)，用于按照設(shè)定角度向拋光墊上的目標區(qū)域噴射去離子水流；
設(shè)置于所述高壓清洗臂另一端的移動馬達，通過控制所述高壓清洗臂的移動以帶動所述高壓清洗噴頭的移動；
設(shè)置在與所述高壓清洗噴頭相距設(shè)定距離且拋光墊上方的設(shè)定位置的壓力傳感器，用于感應(yīng)反射水流的壓力值；其中，所述反射水流由所述去離子水流經(jīng)所述目標區(qū)域反射后形成；
控制器，用于相應(yīng)于所述反射水流的壓力值大于設(shè)定的第一壓力閾值，通過控制移動馬達的工作狀態(tài)延長所述高壓清洗噴頭向所述目標區(qū)域噴射去離子水流的時長；
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