[發(fā)明專利]存儲器的電容連接線的制作方法和存儲器

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• 申請?zhí)枺?/td>: 202011221664.2
• 申請日: 2020-11-05
• 公開（公告）號: CN114446889A
• 公開（公告）日: 2022-05-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 陳洋
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 北京律智知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11438
• 代理人: 孫寶海;袁禮君

本公開提供了一個(gè)存儲器的電容連接線的制作方法和存儲器，涉及半導(dǎo)體制備技術(shù)領(lǐng)域。其中，制作方法包括：在襯底上依次形成位線層和第一介質(zhì)層；圖案化位線層和第一介質(zhì)層，形成沿第一方向間隔排布的位線結(jié)構(gòu)和位于位線結(jié)構(gòu)頂部的介質(zhì)結(jié)構(gòu)；在形成有位線結(jié)構(gòu)和介質(zhì)結(jié)構(gòu)的襯底上形成絕緣層，以完全包覆位線結(jié)構(gòu)和介質(zhì)結(jié)構(gòu)；以在相鄰的位線結(jié)構(gòu)之間形成間隔排布的第二隔離結(jié)構(gòu)；在第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)之間形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，形成存儲節(jié)點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)。通過本公開的技術(shù)方案，不需要制備昂貴的SOD犧牲層，降低了制備成本，而且減少了電容連接線的短路的情況發(fā)生，提升了存儲器的可靠性和成品率。

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一個(gè)存儲器的電容連接線的制作方法和存儲器。

背景技術(shù)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器是具有電容器結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件，其中，電容器在形成位線層之后形成，且電容器通過存儲節(jié)點(diǎn)接觸插塞連接到有源區(qū)。近年來，DRAM芯片上的存儲器單元的數(shù)量和密度急劇增加，器件的尺寸逐步減小，為了實(shí)現(xiàn)電容器與有源區(qū)的有效連接，存儲節(jié)點(diǎn)接觸插塞需要有較大的尺寸，在現(xiàn)有工藝中，在蝕刻較大關(guān)鍵尺寸線寬的存儲節(jié)點(diǎn)接觸孔時(shí)，容易出現(xiàn)刻蝕不完全而導(dǎo)致短路的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本公開的目的在于提供一個(gè)存儲器的電容連接線的制作方法和存儲器，至少在一定程度上克服由于相關(guān)技術(shù)中存儲器的制備成本高的問題。

本公開的其他特性和優(yōu)點(diǎn)將通過下面的詳細(xì)描述變得顯然，或部分地通過本公開的實(shí)踐而習(xí)得。

根據(jù)本公開的一個(gè)方面，提供一個(gè)存儲器的電容連接線的制作方法，包括：在襯底上依次形成位線層和第一介質(zhì)層；圖案化位線層和第一介質(zhì)層，形成沿第一方向間隔排布的位線結(jié)構(gòu)和位于位線結(jié)構(gòu)頂部的介質(zhì)結(jié)構(gòu)，其中，介質(zhì)結(jié)構(gòu)頂部橫截面的寬度大于位線結(jié)構(gòu)橫截面的寬度；在形成有位線結(jié)構(gòu)和介質(zhì)結(jié)構(gòu)的襯底上形成絕緣層，以完全包覆位線結(jié)構(gòu)和介質(zhì)結(jié)構(gòu)；在第一方向上，以介質(zhì)結(jié)構(gòu)為掩膜，圖案化絕緣層，在位線結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成第一隔離結(jié)構(gòu)，在第二方向上，圖案化絕緣層，以在相鄰的位線結(jié)構(gòu)之間形成間隔排布的第二隔離結(jié)構(gòu)；在第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)之間形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，形成存儲節(jié)點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)。

在本公開的一個(gè)實(shí)施例中，圖案化位線層和第一介質(zhì)層，形成沿第一方向間隔排布的位線結(jié)構(gòu)和位于位線結(jié)構(gòu)頂部的介質(zhì)結(jié)構(gòu)包括：圖案化位線層和第一介質(zhì)層，形成沿第一方向間隔排布的位線結(jié)構(gòu)，并通過淀積工藝在襯底上形成絕緣層；在第一介質(zhì)層的上表面形成圖案化的氧化掩膜層，以形成位于位線結(jié)構(gòu)頂部的介質(zhì)結(jié)構(gòu)；對形成氧化掩膜層的第一介質(zhì)層進(jìn)行平坦化處理。

在本公開的一個(gè)實(shí)施例中，圖案化位線層和第一介質(zhì)層，形成沿第一方向間隔排布的位線結(jié)構(gòu)和位于位線結(jié)構(gòu)頂部的介質(zhì)結(jié)構(gòu)還包括：在平坦化處理后的絕緣層的上表面，通過淀積工藝依次生成碳掩膜層和第二介質(zhì)層，第二介質(zhì)層包括氮化硅層和/或氮氧化硅層。

在本公開的一個(gè)實(shí)施例中，在第一方向上，以介質(zhì)結(jié)構(gòu)為掩膜，圖案化絕緣層，在位線結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成第一隔離結(jié)構(gòu)，在第二方向上，圖案化絕緣層，以在相鄰的位線結(jié)構(gòu)之間形成間隔排布的第二隔離結(jié)構(gòu)包括：在第二介質(zhì)層上形成光刻涂層，光刻涂層包括光刻抗反射層和光刻膠層；對光刻涂層進(jìn)行光刻處理，以得到圖案化的光刻材料犧牲層；通過淀積工藝在光刻材料犧牲層和第二介質(zhì)層上形成氧化層；通過干法刻蝕工藝對氧化層進(jìn)行刻蝕，以得到光刻抗反射層和光刻抗反射層的側(cè)墻；通過氧化氣體去除光刻抗反射層，以得到位線結(jié)構(gòu)上的氧化側(cè)墻。

在本公開的一個(gè)實(shí)施例中，在第一隔離結(jié)構(gòu)和第二隔離結(jié)構(gòu)之間形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，形成存儲節(jié)點(diǎn)接觸結(jié)構(gòu)包括：以氧化側(cè)墻為掩膜對第二介質(zhì)層和碳掩膜層進(jìn)行刻蝕并去除氧化側(cè)墻，以得到圖案化的碳掩膜層；以碳掩膜層209和介質(zhì)結(jié)構(gòu)對第一介質(zhì)層進(jìn)行干法刻蝕，至暴露襯底為止，以形成第一方向上的第一隔離結(jié)構(gòu)和第二方向上的第二隔離結(jié)構(gòu)。