[發(fā)明專利]靜電吸盤在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011221432.7 | 申請日: | 2020-11-05 |
| 公開(公告)號: | CN112864073A | 公開(公告)日: | 2021-05-28 |
| 發(fā)明(設計)人: | 黃正訓;劉翰均 | 申請(專利權)人: | 美科陶瓷科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;孫昌浩 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 靜電 吸盤 | ||
1.一種靜電吸盤,包括:
靜電吸盤板,所述靜電吸盤板包括在第一區(qū)域形成的多個第一冷卻氣體孔、在第二區(qū)域形成的多個第二冷卻氣體孔;及
基材,所述基材具備與所述多個第一冷卻氣體孔連接的第一流路圖案、與所述多個第二冷卻氣體孔連接的第二流路圖案、變更注入所述第一流路圖案的冷卻氣體的流入口位置的流入口移動圖案。
2.根據(jù)權利要求1所述的靜電吸盤,其特征在于,
所述第一區(qū)域為所述靜電吸盤板上面中的外部區(qū)域,
所述第二區(qū)域為所述靜電吸盤板上面中的內(nèi)部區(qū)域。
3.根據(jù)權利要求1所述的靜電吸盤,其特征在于,
所述基材包括:
形成有所述流入口移動圖案的第一金屬層;
形成有所述第一流路圖案的第二金屬層;及
形成有所述第二流路圖案形成的第三金屬層。
4.根據(jù)權利要求3所述的靜電吸盤,其特征在于,
所述流入口移動圖案形成得以一條直線從所述第一金屬層的外部區(qū)域的一個地點延長至內(nèi)部區(qū)域的一個地點。
5.根據(jù)權利要求3所述的靜電吸盤,其特征在于,
所述第一流路圖案使從所述第二金屬層的內(nèi)部區(qū)域流入的冷卻氣體向相應金屬層的外部區(qū)域水平移動。
6.根據(jù)權利要求3所述的靜電吸盤,其特征在于,
所述第一流路圖案形成得以放射狀從配置于所述第二金屬層的內(nèi)部區(qū)域的冷卻氣體孔延長至相應金屬層的外部區(qū)域。
7.根據(jù)權利要求3所述的靜電吸盤,其特征在于,
所述基材還包括第四金屬層,
所述第四金屬層在所述第三金屬層的上部形成,具備配置于在所述靜電吸盤板形成的冷卻氣體孔的鄰接區(qū)域的多個絕緣構件。
8.根據(jù)權利要求7所述的靜電吸盤,其特征在于,
各個絕緣構件形成得包圍在所述第四金屬層形成的冷卻氣體孔的至少一部分。
9.根據(jù)權利要求7所述的靜電吸盤,其特征在于,
各個絕緣構件以與所述靜電吸盤板相同材質(zhì)的鋁氧化物形成。
10.根據(jù)權利要求7所述的靜電吸盤,其特征在于,
各個絕緣構件以聚醚醚酮材質(zhì)、聚酰胺-酰亞胺材質(zhì)及聚苯并咪唑材質(zhì)中某一種形成。
11.根據(jù)權利要求1所述的靜電吸盤,其特征在于,
在所述靜電吸盤板形成的第一冷卻氣體孔的個數(shù)為20個以下。
12.根據(jù)權利要求1所述的靜電吸盤,其特征在于,
所述靜電吸盤板由絕緣層、電極層及電介質(zhì)層依次層疊形成。
13.一種靜電吸盤,其特征在于,包括:
基材;及
靜電吸盤板,所述靜電吸盤板包括所述基材上的絕緣層、所述絕緣層上的電極層、所述電極層上的電介質(zhì)層;且
所述電介質(zhì)層具備在第一區(qū)域形成的多個第一冷卻氣體孔、在第二區(qū)域形成的多個第二冷卻氣體孔,
所述絕緣層具備與所述多個第一冷卻氣體孔連接的第一流路圖案、與所述多個第二冷卻氣體孔連接的第二流路圖案、變更注入所述第一流路圖案的冷卻氣體的流入口位置的流入口移動圖案。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





