[發(fā)明專利]一種重力磁感應(yīng)芯片側(cè)裝結(jié)構(gòu)及提升側(cè)裝良率的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202011221343.2 | 申請日: | 2020-11-04 |
| 公開(公告)號: | CN112331619B | 公開(公告)日: | 2023-08-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐召明;張建東;李小燕;李爭 | 申請(專利權(quán))人: | 華天科技(南京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/14 | 分類號: | H01L23/14;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/56 |
| 代理公司: | 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 61200 | 代理人: | 姚詠華 |
| 地址: | 211805 江蘇省南京市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 重力 感應(yīng) 芯片 結(jié)構(gòu) 提升 側(cè)裝良率 方法 | ||
1.一種重力磁感應(yīng)芯片側(cè)裝結(jié)構(gòu)提升側(cè)裝良率的方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1、基板焊盤刷錫膏:在選定并檢測后的基板焊盤(1)上安裝固定基板(2),并在基板焊盤(1)的頂部印刷第一錫膏層(4);
S2、一次回流:在固定基板(2)整條印刷完成后,通過回流焊將S1中印刷的第一錫膏層(4)形成錫球(5),且錫球(5)覆蓋整個基板焊盤(1);
S3、錫球壓平:采用壓平設(shè)備將基板焊盤(1)上的錫球(5)壓平,形成第二錫膏層(6)且使的多個基板焊盤(1)之間無錫橋接;
S4、助焊劑漏印:在壓平的第二錫膏層(6)的頂部漏印助焊劑層(8),助焊劑層(8)覆蓋整個第二錫膏層(6)頂部;
S5、芯片貼裝區(qū)劃膠:選用耐高溫膠水,并與第一錫膏層(4)一起回流焊在固定基板(2)上形成膠水層(9);
S6、側(cè)裝芯片:選用具有90°翻轉(zhuǎn)功能的芯片安裝設(shè)備,控制芯片安裝設(shè)備將側(cè)裝芯片(10)安裝到膠水層(9)處,貼裝時芯片bump(11)與基板焊盤(1)一一對應(yīng)精準(zhǔn)貼合,貼合位置精度<10um;
S7、二次回流:通過二次回流操作,將第二錫膏層(6)與芯片Bump(11)在Reflow加熱的作用下,形成互聯(lián),完成側(cè)裝,獲得重力磁感應(yīng)芯片側(cè)裝結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種重力磁感應(yīng)芯片側(cè)裝結(jié)構(gòu)提升側(cè)裝良率的方法,其特征在于,步驟S1中基板的設(shè)計尺寸為150um*90um。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種重力磁感應(yīng)芯片側(cè)裝結(jié)構(gòu)提升側(cè)裝良率的方法,其特征在于,步驟S1中采用第一印刷鋼網(wǎng)(3)在基板焊盤(1)的頂部印刷第一錫膏層(4)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種重力磁感應(yīng)芯片側(cè)裝結(jié)構(gòu)提升側(cè)裝良率的方法,其特征在于,所述第一印刷鋼網(wǎng)(3)的厚度定制為46um,鋼網(wǎng)開窗尺寸為160um*80um。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種重力磁感應(yīng)芯片側(cè)裝結(jié)構(gòu)提升側(cè)裝良率的方法,其特征在于,步驟S4中通過第二印刷鋼網(wǎng)(7)漏印助焊劑層(8);所述第二印刷鋼網(wǎng)(7)的厚度為30um,鋼網(wǎng)開窗尺寸120um*80um。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種重力磁感應(yīng)芯片側(cè)裝結(jié)構(gòu)提升側(cè)裝良率的方法,其特征在于,步驟S7中二次回流的回流峰值為255±5℃,回流時間為70±5秒。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種重力磁感應(yīng)芯片側(cè)裝結(jié)構(gòu)提升側(cè)裝良率的方法,其特征在于,第一錫膏層(4)選用6號粉錫膏,最大錫珠尺寸20um;第一錫膏層(4)的厚度均值為70um。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種重力磁感應(yīng)芯片側(cè)裝結(jié)構(gòu)提升側(cè)裝良率的方法,其特征在于,第二錫膏層(6)超出基板焊盤(1)單邊5um以內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種重力磁感應(yīng)芯片側(cè)裝結(jié)構(gòu)提升側(cè)裝良率的方法,其特征在于,錫球(5)錫高為60um。
10.一種重力磁感應(yīng)芯片側(cè)裝結(jié)構(gòu),其特征在于,由權(quán)利要求1至9中任一項所述的重力磁感應(yīng)芯片側(cè)裝結(jié)構(gòu)提升側(cè)裝良率的方法制備而成。
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