[發明專利]芯片防溢膠封裝方法

有效

• 申請號: 202011221036.4
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN112331568B
• 公開（公告）日: 2022-12-23
• 發明（設計）人: 陳建超
• 申請（專利權）人: 青島歌爾微電子研究院有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 梁馨怡

1.一種芯片防溢膠封裝方法，其特征在于，所述芯片防溢膠封裝方法包括如下步驟：

提供一電路基板，其中，所述電路基板上具有裸露的芯片，所述芯片上背離所述電路基板的裸露端具有臺階；

將分離膜壓在所述芯片的裸露端，所述分離膜將所述臺階覆蓋并密封，以使所述芯片的裸露端嵌設于所述分離膜；

向所述分離膜與所述電路基板之間注塑塑封料，直至所述塑封料撐起所述分離膜并填充于將所述臺階內，以使所述分離膜平鋪于所述芯片的裸露端；

所述向所述分離膜與所述電路基板之間注塑塑封料，直至所述塑封料撐起所述分離膜并填充于將所述臺階內，以使所述分離膜平鋪于所述芯片的裸露端的步驟包括：

在第一預設合模壓力下以第一預設注塑壓力向所述分離膜與所述電路基板之間注塑塑封料，直至所述塑封料注塑至所述臺階邊緣處；

在第二預設合模壓力下以第二預設注塑壓力向所述分離膜與所述電路基板之間繼續注塑塑封料，直至所述塑封料撐起所述分離膜并填充于將所述臺階內，以使所述分離膜平鋪于所述芯片的裸露端；

其中，所述第一預設合模壓力小于所述第二預設合模壓力；所述第一預設注塑壓力小于所述第二預設注塑壓力。

2.如權利要求1所述的芯片防溢膠封裝方法，其特征在于，所述第一預設合模壓力為1000MPA~3000MPA；所述第二預設合模壓力為3000MPA~8000 MPA。

3.如權利要求1所述的芯片防溢膠封裝方法，其特征在于，所述第一預設注塑壓力為10MPA~80MPA；所述第二預設注塑壓力為80MPA~200MPA。

4.如權利要求1至3中任一項所述的芯片防溢膠封裝方法，其特征在于，所述電路基板上具有多個間隔設置的所述芯片；

所述向所述分離膜與所述電路基板之間注塑塑封料，直至所述塑封料撐起所述分離膜并填充于將所述臺階內，以使所述分離膜平鋪于所述芯片的裸露端的步驟包括：

向多個所述芯片之間的間隙處注塑塑封料，且塑封料注塑于所述分離膜與所述電路基板之間，直至所述塑封料撐起所述分離膜并填充于各所述芯片的所述臺階內，以使所述分離膜平鋪于各所述芯片的裸露端，所述塑封料將多個所述芯片一一隔開。

5.如權利要求1至3中任一項所述的芯片防溢膠封裝方法，其特征在于，所述臺階為對所述芯片的裸露端切割后在所述芯片的裸露端邊緣處形成的環形臺階。

6.如權利要求5所述的芯片防溢膠封裝方法，其特征在于，所述臺階的深度為5um~500um，所述臺階的寬度為5um~300um。

7.如權利要求1至3中任一項所述的芯片防溢膠封裝方法，其特征在于，所述分離膜的厚度為10um~150um。

8.如權利要求1至3中任一項所述的芯片防溢膠封裝方法，其特征在于，所述分離膜為RM分離膜，所述基板為復合柔性材料制件，所述芯片為凸點芯片或鋁墊芯片。