[發明專利]垂直腔面發射激光器及其制備方法、測試方法

在審

• 申請號: 202011220070.X
• 申請日: 2020-11-04
• 公開（公告）號: CN112310811A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 楊健;林志東
• 申請（專利權）人: 廈門市三安集成電路有限公司
• 主分類號: H01S5/183
• 分類號: H01S5/183;H01S5/187;H01S5/34;H01S5/042;H01S5/00
• 代理公司: 北京超成律師事務所 11646
• 代理人: 王文賓

1.一種垂直腔面發射激光器，其特征在于，包括：N型襯底，設于所述N型襯底下方的第一電極；以及依序形成于所述N型襯底上方的N型DBR、第一包覆層、量子阱有源區、第二包覆層、氧化層、P型DBR及介質層；還包括第二電極和第三電極，所述第二電極形成于所述介質層上表面且穿過所述介質層與所述P型DBR電連接；所述第三電極形成于所述介質層上表面，且通過保護電阻與所述第二電極電連接，用于與測試探針抵接。

2.如權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述介質層的邊緣自所述P型DBR朝向所述N型DBR的方向延伸設置，以依次包覆所述P型DBR、所述氧化層、所述第二包覆層、所述量子阱有源區、所述第一包覆層以及所述N型DBR。

3.如權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述第二電極與介質層之間還具有鈍化層。

4.如權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述第三電極的厚度大于或等于第二電極的厚度。

5.如權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述第二電極和第三電極通過導線連接保護電阻。

6.如權利要求5所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述導線的材質為Ti、W、Ge或Au中的任一種或至少兩種的組合。

7.如權利要求1所述的垂直腔面發射激光器，其特征在于，所述保護電阻為薄膜電阻，其阻值大于或等于垂直腔面發射激光器本身阻值的5倍。

8.一種垂直腔面發射激光器的制備方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步驟：

在介質層上打開窗口，涂覆光阻，蒸鍍或電鍍以分別形成電連接P型DBR的第二電極、和與所述第二電極間隔設置的第三電極；

在所述第二電極與所述第三電極之間蒸鍍或電鍍形成保護電阻；

在所述第二電極與所述保護電阻之間、所述第三電極與所述保護電阻之間蒸鍍或電鍍形成導線。

9.如權利要求8所述的垂直腔面發射激光器的制備方法，其特征在于，所述導線的材質為Ti、W、Ge或Au中任一種或至少兩種的組合。

10.一種垂直腔面發射激光器的測試方法，其特征在于，在對垂直腔面發射激光器進行恒電壓老化處理之后，還包括以下步驟：

去除第二電極與保護電阻之間的導線，和/或第三電極與所述保護電阻之間的導線。